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헤테로 구조의 적층 박막, 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법 및 헤테로 구조의 적층 박막을 포함하는 반도체 소자

기술번호 : KST2020015375
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시예들은 헤테로 구조의 적층 박막, 그 제조 방법 및 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막은, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조를 포함할 수 있다.
Int. CL	H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/12 (2006.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01)
CPC	H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01)
출원번호/일자	1020190037101 (2019.03.29)
출원인	연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2020-0114797 (2020.10.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.03.29)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이관형		서울특별시 서대문구
2	강소정		서울특별시 마포구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김권석	대한민국	서울특별시 서초구 논현로*, B동 층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2019-0326688-07
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.11.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2019.12.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0101444-47
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.07.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0508327-14
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.09.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-1024800-78
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.09.25	수리 (Accepted)	1-1-2020-1024721-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막으로서,상기 헤테로 구조는,제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 단일층(monolayer)의 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층; 및상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막
2	2 제 1 항에 있어서,상기 헤테로 구조는,상기 제 1 산화물 층 상에 배치되고, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 단일층의 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층; 및상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 2 전이 금속 원소의 산화물 포함하는 제 2 산화물 층을 더 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막
3	3 제 1 항에 있어서,2 이상의 상기 헤테로 구조가 순차적으로 적층된 다중층을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 원소는 Mo, Ta 및 W 중 어느 하나이고, 상기 제1 칼코젠 원소는 S, Se 및 Te 중 어느 하나인 헤테로 구조의 적층 박막
5	5 제 2 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 동일한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막
6	6 제 2 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 상이한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막
7	7 제 2 항에 있어서,상기 헤테로 구조는 양자 우물(Quantum well)을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막
8	8 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막의 제조 방법으로서,a) 기판 상에, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠(chalcogen) 원소의 화합물을 포함하는 제 1 전이금속 디칼코제나이드(dichalcogenide) 층의 이중층(bilayer)을 형성하는 단계; 및b) 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 대한 산화 처리에 의해, 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층의 상부 단일층(monolayer)을 상기 제 1 전이 금속의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층으로 변화시키는 단계를 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
9	9 제8항에 있어서,c) 상기 제 1 산화물 층 상에, 제 2 전이금속 원소와 제2 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 이중층(bilayer)을 전사하는 단계; 및d) 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 대한 산화 처리에 의해, 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층의 상부 단일층을 상기 제 2 전이금속의 산화물을 포함하는 제 2 산화물 층으로 변화시키는 단계를 더 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 단계 c) 및 d)를 추가적으로 1회 이상 수행하여, 전이금속 디칼코제나이드 층과 산화물층이 교대로 적층된 다중층을 형성하는 단계를 더 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
11	11 제 8 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 원소는 Mo, Ta 및 W 중 어느 하나이고, 상기 제1 칼코젠 원소는 S, Se 및 Te 중 어느 하나인 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
12	12 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 동일한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
13	13 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드와 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층에 포함된 전이금속 디칼코제나이드는 상이한 화합물인 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
14	14 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층, 상기 제 1 산화물 층, 상기 제 2 전이금속 디칼코제나이드 층 및 상기 제 2 산화물 층의 다중층은 양자 우물(Quantum well)을 포함하는 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법
15	15 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 기재된 헤테로 구조의 적층 박막을 포함하는 반도체 소자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2019-0326688-07
2	선행기술조사의뢰서	2019.11.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2019.12.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0101444-47
4	의견제출통지서	2020.07.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0508327-14
5	[명세서등 보정]보정서	2020.09.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-1024800-78
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.09.25	수리 (Accepted)	1-1-2020-1024721-69

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