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반응 챔버내에 기판을 준비하는 단계; 제1 온도에서 스터퍼링 공정을 이용하여 전이금속과 칼코겐을 포함하는 전구체로부터 금속 칼코게나이드 박막을 상기 기판상에 증착시키는 단계; 및 칼코겐 분위기하에서 상기 금속 칼코게나이드 박막을 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 열처리하는 단계;를 포함하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 박막은, 비정절 및 다결정 중 적어도 하나를 포함하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 박막은, 하기 화학식 1로 표시되는 조성을 포함하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 증착하는 단계는, 500℃ 내지 800℃에서 수행되는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는, 800℃ 내지 1200℃에서 수행되는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 칼코겐 분위기는, 칼코켄 함유 기체가 제공됨으로써 형성되는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 증착하는 단계는, 2분 이내에 수행되는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 증착시키는 단계는, 0
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제 1항에 있어서, 상기 열처리된 금속 칼코게나이드 박막은 1층 내지 15층인 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전구체는, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Zn 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것인 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전구체는, S, Se 및 Te으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것인 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전구체는,산화 금속, 할로겐화 금속, 금속 카보닐 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 열처리된 금속 칼코게나이드 박막은, 하기 화학식 2로 표시되는 조성을 포함하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전구체는,상기 전이금속 및 상기 칼코겐 중 적어도 하나보다 낮은 족의 원소를 더 포함하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 14항에 있어서, 상기 열처리된 금속 칼코게나이드 박막은 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 박막의 두께는,상기 전구체로부터 스퍼터된 물질의 에너지 반응 속도에 비례하는 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항 내지 제 16항 중 어느 하나의 항에 따른 방법을 이용하여 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계; 및 상기 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자부를 형성하는 단계;를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 전자 소자는 트랜지스터, 다이오드, 광전자소자, 터널링소자, 논리소자 및 메모리소자 중 적어도 하나를 포함하는 전자 소자의 제조방법
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