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CNT 페이스트의 제조방법에 있어서,CNT 파우더, 그래파이트 나노입자, 분산제 및 증류수를 혼합한 후 초음파 처리를 통해 분산 공정을 수행하는 단계, 및상기 분산 공정을 통해 분산된 용액과 그래파이트 접착제를 혼합한 후, 볼 밀링 공정을 통해 CNT 페이스트를 생성하는 단계를 포함하는, CNT 페이스트의 제조방법
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CNT 페이스트의 제조방법에 있어서,제 1 CNT 파우더, 그래파이트 나노입자, SiC 나노입자, Ni 나노입자, 분산제 및 증류수를 혼합한 후 초음파 처리를 통해 분산 공정을 수행하는 단계, 및상기 분산 공정을 통해 분산된 용액을 여과시켜 제 2 CNT 파우더를 획득하는 단계를 포함하는, CNT 페이스트의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제 2 CNT 파우더와 그래파이트 접착제를 혼합한 후, 볼 밀링 공정을 통해 CNT 페이스트를 생성하는 단계를 더 포함하는 것인, CNT 페이스트의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제 2 CNT 파우더를 획득하는 단계는감압여과(vacuum filtration)를 이용해 PTFE(Poly-tetra Fluoroethylene) 소재의 여과막(membrane) 위에 여과하여 필름 형태로 건조시키는 단계를 포함하되,상기 제 2 CNT 파우더는 제 1 CNT 파우더, 그래파이트 나노입자, SiC 나노입자, Ni 나노입자가 고르게 분산된 것인, CNT 페이스트의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 제 2 CNT 파우더는 SiO₂나노입자 및 TiO₂나노입자를 더 포함하는 것인, CNT 페이스트의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 CNT 페이스트는 원형 또는 막대형 박막으로 형성시키되, 단일형 또는 어레이 형으로 형성되는 것인, CNT 페이스트의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 CNT 페이스트를 생성하는 단계는상기 볼 밀링 공정을 10분 이하로 수행하는 것인, CNT 페이스트의 제조방법
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CNT 페이스트 에미터의 제조방법에 있어서,그 상부면에 계면층이 적층된 금속 또는 그래파이트 기판을 제공하는 단계,스크린 프린팅 기법에 따라, 상기 기판에 CNT 페이스트를 압착하는 단계,소성 공정을 수행하는 단계, 및상기 소성 공정이 완료된 CNT 페이스트의 표면에 대하여 표면 처리를 수행하는 단계를 포함하는, CNT 페이스트 에미터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 CNT 페이스트는 제 2 CNT 파우더와 그래파이트 접착제를 포함하되,상기 제 2 CNT 파우더는 제 1 CNT 파우더, 그래파이트 나노입자, SiC 나노입자, Ni 나노입자를 포함하는 것인, CNT 페이스트 에미터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제 2 CNT 파우더는 SiO₂나노입자 및 TiO₂나노입자를 더 포함하는 것인, CNT 페이스트 에미터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 그 상부면에 계면층이 적층된 기판을 제공하는 단계는구리 호일 위에 그래핀을 합성하는 단계,상기 그래핀 상에 PMMA 박막을 코팅하는 단계,식각 용액을 통해 상기 구리 호일을 제거하는 단계,상기 구리 호일이 제거된 그래핀을 상기 기판에 전사하는 단계, 및전사 공정이 완료된 후 상기 PMMA 박막을 제거하는 단계를 포함하는 것인, CNT 페이스트 에미터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 기판에 CNT 페이스트를 압착하는 단계는하나 이상의 패턴을 갖는 마스크를 상기 기판 위에 고정하는 단계;상기 마스크 상에 상기 CNT 페이스트를 배치한 후, 스퀴지를 통해 상기 CNT 페이스트를 반복해서 상기 기판 위에 압착하되, 상기 패턴과 대응하는 CNT 페이스트 에미터를 상기 기판 위에 형성하는 단계를 포함하는 것인, CNT 페이스트 에미터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소성 공정을 수행하는 단계는대기 분위기에서 1차 열처리 공정을 수행하고, 진공 분위기에서 2차 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하되,상기 CNT 페이스트 중 Ni 나노입자는 상기 열처리 공정에 의해, 상기 CNT페이스트 내부 및 상기 기판 위에서 용융 상태가 되는 것인, CNT 페이스트 에미터의 제조방법
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CNT 페이스트 에미터를 이용하는 엑스선 튜브 장치에 있어서,CNT 페이스트 에미터가 결합된 캐소드 전극,상기 캐소드 전극의 상부에, 상기 CNT 페이스트 에미터 크기 보다 면적이 넓은홀이 형성되고, 그 하부 또는 상부 면에 그래핀 박막이 결합된 게이트 전극,상기 게이트 전극의 상부에 배치된 집속 렌즈,상기 집속 렌즈의 상부에 상기 캐소드 전극과 대향하도록 배치된 애노드 전극,상기 캐소드 전극, 게이트 전극, 집속 렌즈 및 애노드 전극을 감싸는 튜브 하우징을 포함하되,상기 캐소드 전극은금속 또는 그래파이트 기판의 상부에 배치된 CNT 페이스트 에미터, 및상기 기판과 상기 CNT 페이스트 에미터의 사이에 삽입된 계면층을 포함하며,상기 계면층은 그래핀 또는 그래파이트 박막인 것인, 엑스선 튜브 장치
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제14항에 있어서,상기 CNT 페이스트 에미터는 제 2 CNT 파우더와 그래파이트 접착제를 포함하는 것이고,상기 제 2 CNT 파우더는 제 1 CNT 파우더, 그래파이트 나노입자, SiC 나노입자, Ni 나노입자를 포함하는 것인, 엑스선 튜브 장치
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제15항에 있어서,상기 제 2 CNT 파우더는 SiO₂나노입자 및 TiO₂나노입자를 더 포함하는 것인, 엑스선 튜브 장치
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제14항에 있어서,상기 집속 렌즈는 타원형 구조로 형성된 것인, 엑스선 튜브 장치
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제14항에 있어서,상기 게이트 전극은 구리 호일위에 그래핀을 합성하는 단계,상기 그래핀 상에 PMMA 박막을 코팅하는 단계,식각 용액을 통해 상기 구리 호일을 제거하는 단계,상기 구리 호일이 제거된 그래핀을 상기 홀이 형성된 기판에 전사하는 단계, 및전사 공정이 완료된 후 상기 PMMA 박막을 제거하는 단계에 의해 형성된 것인, 엑스선 튜브 장치
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