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에어 갭을 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022006638
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 에어 갭을 포함하는 구조의 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 내부가 빈 튜브 형태로 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 채널층의 내부에는, 에어 갭(Air gap)이 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
Int. CL H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 27/1157 (2017.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/1157(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020200153274 (2020.11.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0067031 (2022.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-1228111-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 내부가 빈 튜브 형태로 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 채널층의 내부에는, 에어 갭(Air gap)이 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 에어 갭은, 상기 채널층 사이 계면에서의 표면 산란(Surface scattering)을 억제하여 전하 이동도(Mobility)를 향상시키는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
3 3
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 스트링의 상단에는, 상기 에어 갭을 유지하기 위한 캡(Cap)이 배치되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
4 4
제3항에 있어서,상기 캡은, 상기 채널층과 상이한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
5 5
제4항에 있어서,상기 캡은, 상기 복수의 워드 라인들을 통해 인가되는 전압에 의해 채널을 형성하지 않는 물질로 생성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
6 6
제4항에 있어서,상기 캡은, 상기 채널층이 갖는 전하 이동도보다 낮은 전하 이동도를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
7 7
제1항에 있어서,상기 에어 갭은, 진공 상태 또는 가스가 주입된 상태로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
8 8
기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 내부가 빈 튜브 형태로 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하는 반도체 구조체-상기 채널층의 내부에는 상기 수직 방향으로 연장 형성된 홀(Hole)이 포함됨-를 준비하는 단계; 및 상기 홀의 상단을 밀봉하는 캡(Cap)을 형성하여, 상기 채널층의 내부에 에어 갭(Air gap)을 생성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 에어 갭은, 상기 채널층 사이 계면에서의 표면 산란(Surface scattering)을 억제하여 전하 이동도(Mobility)를 향상시키는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 캡은, 상기 채널층과 상이한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 에어 갭을 생성하는 단계는, 상기 복수의 워드 라인들을 통해 인가되는 전압에 의해 채널을 형성하지 않는 물질로 상기 홀의 상단에 상기 캡을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 캡을 형성하는 단계는, 상기 반도체 구조체를 챔버(Chamber) 내에 위치시켜 상기 반도체 구조체가 위치하는 공간의 압력을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.