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기판의 표면에 포토마스크를 통해 표면 중 일부에 자외선을 조사하여 패턴을 형성하는 단계(S1);상기 기판에 나노입자를 포함하는 용액을 코팅하는 단계(S2); 및상기 코팅된 나노입자의 표면에너지를 낮추는 단계(S3)를 포함하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 S2 단계는,S1 단계에서 자외선이 조사된 기판의 표면 중 일부에 용액이 코팅되는 것을 특징으로 하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 S1 내지 S3 단계는 복수 회로 반복 수행되는 것을 특징으로 하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 S1 단계의 패턴은, 3 um 내지 100 cm의 지름을 갖는 것이고, 자외선은 10 초 내지 10 분 동안 100 내지 500 nm의 파장으로 조사되는 것을 특징으로 하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 금속, 금속산화물, 반도체 및 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 소재로 이루어진 것인, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제5항에 있어서,상기 기판은 폴리비닐카바졸(PVK)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 S2 단계는, 1,000 내지 10,000 rpm으로 스핀코팅하여 수행되는 것인, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 나노입자는 양자점인 것을 특징으로 하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제8항에 있어서,상기 양자점은 GaN, GaAs, GaP, InP, InAs, ZnS, CdS, CdSe, ZnO, MgO, SiO2, CdO, SiC, B4C, Si3N 및 In2O3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 비파괴적 균일 표면 형성 다중 나노입자 프린팅 방법
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제1항에 있어서,상기 S3 단계는, 20 mN/m 이하의 표면에너지를 갖는 리간드를 포함하는 용액을 나노입자에 도포하는 것을 특징으로 하는, 다중 나노입자 프린팅 방법
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제9항에 있어서,상기 리간드를 포함하는 용액은 퍼플루오로데칸디올 , 2-(퍼플루오로엑실)에탄디올, 퍼플루오로옥탄디올, 퍼플루오로데칸술폰산, 및 퍼플루오로옥탄술폰산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 비파괴적 균일 표면 형성 다중 나노입자 프린팅 방법
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제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 비파괴적 균일 표면 형성 다중 나노입자 프린팅 방법에 의한 나노입자 패턴으로, 나노입자 박막; 및 상기 나노입자 박막의 가장자리에 형상된 물질층을 포함하며, 상기 물질층은 상기 나노입자 박막보다 두꺼운 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 나노입자 패턴
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제 12항에 있어서, 상기 물질층의 두께는 상기 용액의 나노입자 농도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 나노입자 패턴
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법으로 프린팅된 기판
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제14항의 기판을 포함하는 소자
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