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제1전도성막(first conductive layer); 및하기 화학식 1로 표시된 발광 그룹;을 포함하고,상기 발광 그룹은 상기 제1전도성막 표면의 원자와 화학적으로 결합되어 있는, 발광 소자:003c#화학식 1003e#*-A3-(A1)m1-(A2)m2상기 화학식 1 중, *는 상기 제1전도성막 표면의 원자와의 화학적 결합 사이트이고, A3는 상기 제1전도성막 표면의 원자와 결합된 원자이고, A1은 연결기이고, A2는 발광 모이어티이고, m1 및 m2는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고, m1이 2 이상일 경우 2 이상의 A1은 서로 동일하거나 상이하고, m2가 2 이상일 경우 2 이상의 A2는 서로 동일하거나 상이하다
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막이 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란타넘(La), 악티늄(Ac), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 세륨(Ce), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 크롬(Cr), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 네오디뮴(Nd), 망간(Mn), 레늄(Re), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 붕소(B), 실리콘(Si), 저마늄(Ge), 비소(As), 안티모니(Sb), 텔루륨(Te), 탄소, 질소, 산소, 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막 표면에 복수의 상기 발광 그룹을 포함한 단분자막(monolayer)이 배치되어 있고, 상기 복수의 발광 그룹을 포함한 단분자막은 상기 제1전도성막 표면과 직접(directly) 접촉되어 있는, 발광 소자
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제3항에 있어서, 상기 단분자막의 두께는 0
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제3항에 있어서, 상기 단분자막이 자기조립 단분자막(self-assembled monolayer)인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 *가 상기 제1전도성막 표면의 금속, 준금속, 탄소, 질소 또는 산소와의 화학적 결합 사이트인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막이 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 주석(Sn), 또는 이의 임의의 조합을 포함하고, 상기 화학식 1의 *는 상기 제1전도성막 표면의 은(Ag), 금(Au), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 또는 주석(Sn)과의 화학적 결합 사이트인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A3가 O 또는 S인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A1이 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C2-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로시클릭 그룹인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A2가 인광성 발광 화합물, 형광성 발광 화합물 또는 양자점로부터 유래된 1가 그룹인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A2가 전이 금속-함유 유기금속 화합물로부터 유래된 1가 그룹인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A2가 형광성 발광 화합물로부터 유래된 1가 그룹이고, 상기 형광은 순간 형광(prompt fluorescence) 또는 지연 형광(delayed fluorescence)인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막에 대향된 제2전도성막을 더 포함하고,상기 화학식 1의 A2는 상기 제2전도성막을 향해 배치되어 있는, 발광 소자
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제13항에 있어서, 상기 제1전도성막과 상기 제2전도성막 사이에 중간층이 배치되고, 상기 중간층은, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 또는 이의 임의의 조합; 또는절연 물질, 전해질, 공기 또는 불활성 기체;를 포함한, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막에 인가된 전압의 변화에 따라, 상기 발광 그룹의 전자 밀도가 변화하는, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막에 인가된 전압의 변화에 따라, 상기 발광 그룹으로부터 방출되는 광의 파장이 변화하는, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전도성막에 인가된 전압의 연속적인 변화에 따라, 상기 발광 그룹으로부터 방출되는 광의 파장이 연속적으로 변화하는, 발광 소자
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제1전도성막을 제공하는 단계; 및상기 제1전도성막과 하기 화학식 1A로 표시된 화합물을 접촉시켜, 상기 제1전도성막 표면의 원자에 하기 화학식 1로 표시된 발광 그룹을 화학적으로 결합시키는 단계;를 포함한, 발광 소자의 제조 방법:003c#화학식 1A003e#A4-A3-(A1)m1-(A2)m2003c#화학식 1003e#*-A3-(A1)m1-(A2)m2상기 화학식 1A 및 1 중, A4는 임의의 모이어티이고, *는 상기 제1전도성막 표면의 원자와의 화학적 결합 사이트이고, A3는 상기 제1전도성막 표면의 원자와 결합된 원자이고, A1은 연결기이고, A2는 발광 모이어티이고, m1 및 m2는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고, m1이 2 이상일 경우 2 이상의 A1은 서로 동일하거나 상이하고, m2가 2 이상일 경우 2 이상의 A2는 서로 동일하거나 상이하다
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 발광 소자의 제1전도성막에 인가되는 전압을 제어하는 단계를 포함한, 발광 소자의 구동 방법
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제19항에 있어서,상기 발광 소자의 제1전도성막에 인가되는 전압을 제어하는 단계가, 상기 발광 소자의 제1전도성막에 인가되는 전압을 연속적으로 또는 불연속적으로 변화시키는 단계를 포함한, 발광 소자의 구동 방법
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