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CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물)로 이루어진 페로브스카이트 양자점;상기 CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물) 페로브스카이트 양자점의 표면에 S(황화물)-아민기에 의한 리간드 보조화합물로 표면 처리하여 페로브스카이트 양자점 표면의 리간드를 아민기로 치환한 표면처리층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리된 페로브스카이트 양자점
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제 1항에 있어서,상기 S(황화물)-아민기는,S-OLA(Sulfur-oleylamine) 화합물, S-DDA(Sulfur-dodecylamine) 화합물, S-OTA(Sulfur-octylamine) 화합물 중에서 선택된 어느 1종인 것을 특징으로 하는 표면처리된 페로브스카이트 양자점
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제 1항에 있어서,표면처리된 페로브스카이트 양자점은 입방체 구조의 입자를 가지며, 평균 입자크기가 10nm 내지 30nm이고, 격자 간격이 0
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(A) CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물) 페로브스카이트 양자점 용액을 준비하는 단계;(B) 상기 CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물) 페로브스카이트 양자점의 표면 처리에 사용할 표면처리용액을 준비하는 단계;(C) 상기 표면처리용액을 CsPbI3 페로브스카이트 양자점 용액에 투입하여 표면을 에칭 처리함에 의해 불순물을 제거함과 동시에 화학적 부동태화(Passivation)를 유도하여 리간드 치환하는 단계; 를 포함하며, 상기 표면처리용액은 S(황화물)-아민기 화합물인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 양자점의 표면처리방법
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제 4항에 있어서,CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물) 페로브스카이트 양자점 용액은 표면에 OA(Oleic Acid) 리간드를 갖도록 준비하며,S(황화물)-아민기를 리간드 보조화합물로 하여 페로브스카이트 양자점 용액의 표면에 존재하는 OA(Oleic Acid) 리간드를 아민기로 치환하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 양자점의 표면처리방법
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제 4항에 있어서,상기 S(황화물)-아민기 화합물은,S-OLA(Sulfur-oleylamine) 화합물, S-DDA(Sulfur-dodecylamine) 화합물, S-OTA(Sulfur-octylamine) 화합물 중에서 선택된 어느 1종인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 양자점의 표면처리방법
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제 4항에 있어서,상기 (A)단계에서는,1) 제1플라스크에 Cs2CO3(세슘탄산염), ODE(Octadecene; 옥타데켄), OA(Oleic Acid; 올레산)을 투입하여 제1용액을 만들고, 상기 제1용액을 100~125℃의 온도 조건에서 30분 내지 90분 동안 건조시킨 후, 130~170℃로 가열하여 Cs2CO3와 OA를 모두 반응시키되 가열 상태로 준비하는 단계; 2) ODE(옥타데켄), PbI2(요오드화납), OA(올레산), OLA(올레아민)를 제2플라스크에 투입하되, 제2플라스크에는 질소(N2)를 불어넣어주면서 100~120℃에서 교반하고, 상기 PbI2의 용해가 완료되면 150~170℃로 온도를 증가시켜 제2용액을 만드는 단계; 3) 제2용액에 제1용액을 투입한 후 반응혼합물을 만들되 5초 이내로 냉각시키는 단계;4) MeOAc(Methyl Acetate; 메틸 아세테이트)를 반응혼합물에 투입한 후 원심분리기에서 7000~10000rpm으로 5분 내지 10분 동안 교반하는 단계;5) 교반한 MeOAc 반응혼합물의 침전물을 헥산에 분산시킨 후 다시 교반하여 반응하지 않은 PbI2 및 뭉친 물질들을 제거하는 단계; 를 통해 합성하여 CsPbI3 페로브스카이트 양자점 용액을 준비하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 양자점의 표면처리방법
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제 4항에 있어서,상기 (B)단계에서는,1) Na2S(황산나트륨)을 헥산 및 OLA(올레아민)에 용해시킨 후 10시간 내지 14시간 교반하는 단계;2) 교반 처리 후 데칸테이션(Decantation, 혼합물 분리 공정)을 수행하여 교반한 용액에서 S-OLA(황화나트륨과 올레아민의 혼합물) 화합물을 얻어내는 단계; 를 통해 표면처리용액을 준비하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 양자점의 표면처리방법
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제 4항에 있어서,상기 표준처리용액은,상기 CsPbI3 페로브스카이트 양자점 용액 2mL 기준하여 20㎕ 내지 100㎕로 투입하여 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 양자점의 표면처리방법
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제 4항에 있어서,상기 리간드 치환이 이루어진 표면 처리된 페로브스카이트 양자점은 입방체 구조의 입자로 이루어지며, 평균 입자크기가 10nm 내지 30nm이고, 격자 간격이 0
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제 4항에 있어서,상기 리간드 치환이 이루어진 표면 처리된 페로브스카이트 양자점은 PL 강도가 1
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제 7항에 있어서,제1플라스크에 Cs2CO3 : ODE(Octadecene; 옥타데켄) : OA(올레산; Oleic Acid) = 1:50:3의 몰비율로 투입하여 제1용액을 만들고,제2플라스크에 ODE(옥타데켄) : PbI2 : OA(올레산) : OLA(올레아민) = 90~100:1:9
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제 8항에 있어서,바이알 안에 Na2S(황산나트륨)을 헥산 및 OLA(올레아민)에 용해시키되, Na2S(황산나트륨) : 헥산 : OLA(올레아민) = 5:750~770:3의 몰비율로 투입하여 용해시킨 후 교반하며,교반 처리 후 데칸테이션(Decantation, 혼합물 분리 공정)을 수행하여 교반한 용액에서 0
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페로브스카이트 양자점을 포함하는 발광다이오드에 있어서,CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물) 페로브스카이트 양자점으로 이루어지는 양자점층; 을 포함하며,상기 CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물) 페로브스카이트 양자점은 청구항 4 내지 청구항 13 중에서 어느 한 항에 의한 표면처리방법으로 표면처리된 페로브스카이트 양자점인 것을 특징으로 하는 표면처리된 페로브스카이트 양자점을 포함하는 발광다이오드
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페로브스카이트 양자점을 포함하는 디스플레이장치에 있어서,상기 페로브스카이트 양자점은 CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물)로 이루어진 페로브스카이트 양자점이며,상기 CsPbI3(세슘 납 트리요오드화물)로 이루어진 페로브스카이트 양자점은 청구항 4 내지 청구항 13 중에서 어느 한 항에 의한 표면처리방법으로 표면처리된 페로브스카이트 양자점인 것을 특징으로 하는 표면처리된 페로브스카이트 양자점을 포함하는 디스플레이장치
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