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기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 표면 영역의 일부가 노출되도록 상기 게이트 절연층 표면 상에 서로 이격하여 각각 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 게이트 절연층의 노출된 영역과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 유기 채널층;상기 유기 채널층 상에 형성된 절연층(DL); 및상기 절연층(DL) 상에 형성되고, 빛을 감지하는 고분자 광 센싱층;을 포함하는,유기 광트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기 채널층 및 상기 고분자 광 센싱층은 상기 절연층(DL)에 의해 구조적으로 절연된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는,유기 광트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 광트랜지스터에 광이 조사되는 경우,상기 고분자 광 센싱층은 엑시톤을 형성하도록 구성되고,상기 절연층(DL)은 상기 고분자 광 센싱층에서 형성된 엑시톤에 의해 전하 쌍극자를 유도하도록 구성되고,상기 유기 채널층은 상기 절연층(DL)에서 유도된 전하 쌍극자에 의해 전자 및 정공을 형성하여 광 전류를 형성되도록 구성된 것을 특징으로 하는,유기 광트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기 채널층은 P3HT, F8, F8T2, F8BT, OC1C10-PPV, MEH-PPV, PQT-1], TIPS-PEN, TES-ADT, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 루브렌(rubrene), 5-클로로테트라센(5-chlorotetracene) 및 PCBM으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는,유기 광트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층 및 절연층(DL)은 각각 P(VDF-TrFE), Poly(methyl methacrylate) (PMMA), Poly(4-vinylphenol) (PVP) 및 Poly(4-vinylpyrrole) (PVPyr) 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는,유기 광트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 고분자 광 센싱층은 PODTPPD-BT를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는,유기 광트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 채널층은 P3HT로 형성되고, 상기 절연층(DL)은 PMMA으로 형성되고,상기 광 센싱층은 PODTPPD-BT으로 형성된 것인,유기 광트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 광 센싱층은 근적외선 영역의 빛을 감지하는 것을 특징으로 하는, 유기 광트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 절연층(DL)은 20 내지 50 nm 의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는
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