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기판;상기 기판 상에 배치되고, 산화물 반도체를 포함하며, 소스 영역, 드레인 영역 및 이들 사이에 형성되는 채널 영역을 포함하는 반도체층;상기 기판 상에 배치되고, 상기 채널 영역과 중첩하는 게이트 전극;상기 기판 상에 배치되고, 구리를 포함하며, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 각각과 중첩하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 반도체층과 상기 소스 전극 사이 및 상기 반도체층과 상기 드레인 전극 사이에 배치되고, 자기조립 단분자들을 포함하는 확산 방지층을 포함하는 트랜지스터 기판
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제1 항에 있어서, 상기 자기조립 단분자들 각각은, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 먼 헤드부 및 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 가까운 말단부를 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제2 항에 있어서, 상기 헤드부는 상기 반도체층에 결합하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제2 항에 있어서, 상기 말단부는 플루오로기를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제2 항에 있어서, 상기 말단부는 티올기를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제1 항에 있어서, 상기 확산 방지층의 제1 면은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제6 항에 있어서, 상기 확산 방지층의 상기 제1 면에 대향하는 제2 면은 상기 반도체층과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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8
기판;상기 기판 상에 배치되고, 산화물 반도체를 포함하며, 소스 영역, 드레인 영역 및 이들 사이에 형성되는 채널 영역을 포함하는 반도체층;상기 기판 상에 배치되고, 구리를 포함하며, 상기 채널 영역과 중첩하는 게이트 전극;상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 각각과 중첩하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 배치되고, 자기조립 단분자들을 포함하는 확산 방지층을 포함하는 트랜지스터 기판
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제8 항에 있어서, 상기 자기조립 단분자들 각각은, 상기 게이트 전극과 먼 헤드부 및 상기 게이트 전극과 가까운 말단부를 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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10
제9 항에 있어서, 상기 말단부는 플루오로기를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제9 항에 있어서, 상기 말단부는 티올기를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제9 항에 있어서,상기 반도체층과 상기 확산 방지층 사이에 배치되고, 실리콘 산화물을 포함하는 게이트 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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제12 항에 있어서, 상기 헤드부는 상기 게이트 절연층에 결합하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 산화물 반도체를 포함하고, 소스 영역, 드레인 영역 및 이들 사이에 형성되며 상기 게이트 전극과 중첩하는 채널 영역을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계;상기 기판 상에 자기조립 단분자들을 포함하는 확산 방지층을 형성하는 단계; 및상기 확산 방지층 상에 구리를 포함하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 각각과 중첩하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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제14 항에 있어서, 상기 확산 방지층을 형성하는 단계는,상기 반도체층이 형성된 상기 기판 상에 제1 물질을 포함하는 제1 용액을 적용하여, 제1 자기조립 단분자들을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및상기 유기층 상에 상기 제1 자기조립 단분자들과 반응하는 제2 물질을 포함하는 제2 용액을 적용하여, 제2 자기조립 단분자들을 포함하는 확산 방지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 제1 물질은 아민기 및 실란기를 포함하는 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 제2 물질은 카르복실기 및 플루오로기를 포함하는 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 제2 물질은 카르복실기 및 티올기를 포함하는 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 제2 자기조립 단분자들 각각은, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 먼 헤드부 및 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 가까운 말단부를 갖고,상기 말단부는 플루오로기를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 제2 자기조립 단분자들 각각은, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 먼 헤드부 및 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 가까운 말단부를 갖고,상기 말단부는 티올기를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기판의 제조 방법
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