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칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물을 포함하고,상기 금속 산화물은 인듐, 아연, 주석, 카드뮴 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인,금속 산화물 반도체 박막
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐 음이온은 S, Se, O, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,금속 산화물 반도체 박막
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체 박막 내의 전자의 유효질량(effective mass, m*)은 0
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체 박막 내의 전자는 0
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칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물 전구체를 제조하는 단계; 및기판 상에 칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 금속 산화물은 인듐, 주석, 아연, 카드뮴 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인,금속 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물 전구체를 제조하는 단계는 비극성 용매에 칼코겐 음이온 전구체 및 금속 산화물 전구체를 첨가하여 수행되는 것인,금속 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 기판 상에 칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물 박막을 형성하는 단계는 졸-겔(sol-gel) 공정, 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(ALD), 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 전자빔증착(E-beam evaporation), 열증착, 진공열증착, 플라즈마증착, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 금속 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고,상기 활성층은 칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물을 포함하고,상기 금속 산화물은 인듐, 주석, 아연, 카드뮴 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인,산화물 박막 트랜지스터
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제 8 항에 있어서,상기 칼코겐 음이온은 S, Se, O, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,산화물 박막 트랜지스터
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제 8 항에 있어서,상기 게이트 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), Si, Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 산화물 박막 트랜지스터
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제 8 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, SiO2, ZrO2, Si3N4, SiC, AlN, Fe2O3, ZnO, BN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,산화물 박막 트랜지스터
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제 8 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 독립적으로 Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합 들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인,산화물 박막 트랜지스터
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