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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 규소(Si)를 포함하는 전구체를 제공하는 단계; 및 상기 전구체가 제공된 상기 기판 상에 아산화 질소 플라즈마(N2O plasma)를 포함하는 반응물질을 제공하여, 상기 전구체와 상기 반응물질이 반응된 이산화 규소(SiO2) 절연막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 절연막은 질소(N)가 도핑된 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 반응물질의 플라즈마 파워(power)에 따라, 상기 절연막 내 질소(N) 및 수소(H)의 함량이 제어되는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 반응물질의 플라즈마 파워(power)가 증가함에 따라, 상기 절연막 내 질소(N)의 함량이 증가하는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 반응물질의 플라즈마 파워(power)가 증가함에 따라, 상기 절연막 내 수소(H)의 함량이 증가하는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 반응물질의 플라즈마 파워(power)는 100W 초과 200W 미만으로 제어되는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 절연막은, 표면뿐만 아니라 중심 영역까지 질소(N)가 도핑된 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계 이후 상기 절연막을 열처리하는 단계 없이, 상기 절연막내 규소-질소(Si-N) 결합이 형성되는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 전구체는 DIPAS(Diisopropylamino silane)를 포함하는 절연막의 제조 방법
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질소(N)가 도핑된 이산화 규소(SiO2) 절연막에 있어서, 상기 절연막 내 Si 2p에 대한 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석 결과 규소-질소(Si3-N4) 결합의 비율이 2
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제9 항에 있어서, 상기 절연막 내 수소(H)를 포함하는 절연막
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기판;상기 기판 상에 배치된 활성막;상기 활성막 상에 배치된 상기 제9 항에 따른 절연막; 및 상기 절연막 상에 배치된 게이트를 포함하는 트랜지스터
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제11 항에 있어서, 상기 활성막은, 상기 절연막에 의해 상기 활성막 내 산소 결핍(oxygen deficiency)이 감소된 것을 포함하는 트랜지스터
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