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강유전성 및 반도체 특성을 가지는 물질을 포함하는 반도체 채널층;상기 반도체 채널층에 각각 접촉하고, 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극;상기 반도체 채널층 상에 형성되고, 강유전성 특성을 가지는 물질을 포함하는 강유전층; 및상기 강유전층 상에 배치된 게이트 전극;을 포함하는,접합 구조 소자
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제1항에 있어서,상기 접합 구조 소자는, 상기 반도체 채널층과 상기 강유전층 사이에 배치되고, 절연 특성을 가지는 물질을 포함하는 절연층을 더 포함하는,접합 구조 소자
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제2항에 있어서,상기 절연층의 두께는 5 내지 10 nm인,접합 구조 소자
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제2항에 있어서,상기 절연층은 h-BN을 포함하는,접합 구조 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 채널층과 상기 강유전층은 비소(As), 안티모니(Sb), 비스무트(Bi), 텔루륨(Te), d1T-MoS2, t-MoS2, WS2, WSe2, WTe2, BiN, SbN, BiP, α-In2Se3, GaN, GaSe, SiC, BN, AIN, ZnO, GeS, GeSe, SnS, SnSe, SiTE, GeTe, SnTE, PbTe, CrN, CrB2, CrBr3, Crl3, GaTeCl, AgBiP2Se6, CuCrP2S6, CuCrP2Se6, CuVP2S6, CuVP2Se6, CuInP2Se6, CuInP2S6(CIPS), Sc2CO2, Bi2O2Se, Bi2O2Te, Bi2O2s, Ba2PbCl4를 포함하는 2차원 페로브스카이트(perovskite), 그라파놀(graphanol), 하이드록실-관능화된 그래핀(hydroxyl-functionalized graphene), 할로젠-데코레이티드 포스포렌(halogen-decorated phosphorene), g-C6N8H 및 Bi-CH2OH 를 포함하는 군에서 각각 독립적으로 상이하게 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는,접합 구조 소자
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제5항에 있어서,상기 반도체 채널층은 α-In2Se3 또는 SnS를 포함하고,상기 강유전층은 CIPS를 포함하는,접합 구조 소자
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제1항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 인가되는 전압은 상기 반도체 채널층의 수평 방향의 분극 정도를 조절하고,상기 게이트 전극에 인가되는 전압은 상기 강유전층의 수직 방향의 분극 정도를 조절하는,접합 구조 소자
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제7항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 인가되는 전류의 증가 또는 감소 상태 및 상기 게이트 전극에 인가되는 전류의 증가 또는 감소 상태에 따라, 상기 반도체 채널층에서 전도하는 전류의 증가 또는 감소 상태가 결정되는,접합 구조 소자
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제7항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 인가되는 전압의 펄스(pulse) 및 상기 게이트 전극에 인가되는 전압의 펄스에 따라, 상기 반도체 채널층의 전류 전도도가 결정되는,접합 구조 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 채널층의 두께는 40 내지 60 nm이고,상기 강유전층의 두께는 60 내지 100 nm인,접합 구조 소자
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제1항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극은 각각 티타늄(Ti) 및 금(Au)을 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는,접합 구조 소자
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기판 상에 강유전성 및 반도체 특성을 가지는 물질을 포함하는 반도체 채널층을 형성하는 제1 단계; 및상기 반도체 채널층 상에 강유전성 특성을 가지는 물질을 포함하는 강유전층을 형성하는 제2 단계;를 포함하고,상기 반도체 채널층에 각각 접촉하고, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 강유전층 상에 배치된 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 단계;를 포함하는,접합 구조 소자 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제1 단계 이후, 상기 반도체 채널층 상에 절연 특성을 가지는 물질을 포함하는 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;를 더 포함하고,상기 제2 단계에서, 상기 강유전층을 상기 절연층 상에 형성하는,접합 구조 소자 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 반도체 채널층, 상기 절연층 및 상기 강유전층은, 건식 전사(dry transfer)를 통해 형성하는,접합 구조 소자 제조 방법
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강유전성 및 반도체 특성을 갖는 물질을 포함하는 반도체 채널층; 상기 반도체 채널층에 각각 접촉하고 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극; 상기 반도체 채널층 상에 배치되고, 강유전성 특성을 갖는 물질을 포함하는 강유전층; 및 상기 강유전층 상에 배치된 게이트 전극;을 포함하는 접합 구조 소자;상기 소스 전극에 전기적으로 연결된 입력부; 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 출력부; 및상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제어부;를 포함하는,컴퓨팅 장치
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