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복수의 층으로 적층된 Mo1-xWxTe2를 포함하되,적층 방향에 따른 두께는 1nm 이상, 100nm 이하이고,임계 온도 보다 높은 온도에서 대칭 형태의 격자 구조를 가지고,상기 임계 온도 이하에서 비대칭 형태의 격자 구조를 가지는 박막
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제 1항에 있어서,상기 임계 온도 보다 높은 온도에서 전도성을 가지는 박막
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제 1항에 있어서,상기 임계 온도 보다 높은 온도에서 단사정 구조(monoclinic structure)를 가지는 박막
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제 1항에 있어서,상기 임계 온도 이하의 온도에서 강유전성을 가지는 박막
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제 4항에 있어서,x가 동일할 때, 상기 임계 온도 이하의 온도에서 온도가 낮을수록 분극의 세기(Polarization)가 커지는 박막
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제 1항에 있어서,상기 임계 온도 이하의 온도에서 사정방계 구조(orthorhombic structure)를 가지는 박막
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제 1항에 있어서,상기 임계 온도는 300K 이상인 박막
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제 1항에 있어서,Mo1-xWxTe2에서 x는 0
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제 1항에 있어서,Mo1-xWxTe2에서 x가 변함에 따라 상기 임계 온도가 달라지는 박막
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제 9항에 있어서,x는 0
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11
복수의 층으로 적층된 Mo1-xWxTe2를 포함하되,적층 방향에 따른 두께는 1nm 이상, 100nm 이하이고,임계 온도 이하에서 강유전성을 가지고,x가 동일할 때, 상기 임계 온도 이하의 온도에서 온도가 낮을수록 분극의 세기(Polarization)가 커지는 박막
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12
제 11항에 있어서,Mo1-xWxTe2에서 x값이 변함에 따라 상기 임계 온도가 달라지는 박막
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13
제 12항에 있어서,x는 0
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14
제 11항에 있어서,상기 임계 온도 보다 높은 온도에서 대칭 형태의 격자 구조를 가지는 박막
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15
제 14항에 있어서,상기 임계 온도 보다 높은 온도에서 단사정 구조(monoclinic structure)를 가지는 박막
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16
제 11항에 있어서,상기 임계 온도 이하에서 비대칭 형태의 격자 구조를 가지는 박막
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17
제 16항에 있어서,상기 임계 온도 이하의 온도에서 사정방계 구조(orthorhombic structure)를 가지는 박막
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18
제 11항에 있어서,Mo1-xWxTe2에서 x는 0
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19
제 11항에 있어서,상기 임계 온도는 300K 이상인 박막
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제 11항에 있어서,온도가 증가할수록 저항이 증가하는 박막
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