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반도체 기판 및 반도체 기판의 솔더볼 범핑 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015146719
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 150um 이하의 미세 피치에서도 솔더볼과 전도성 패드 간의 상호 자력에 의해 정확한 위치에 정확한 부피의 솔더 범프를 형성할 수 있어 안정적인 범핑이 가능하여, 150 um 이하 고성능 반도체 칩을 기판에 안정적으로 실장할 수 있다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110121663 (2011.11.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0055961 (2013.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍원식 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 오철민 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919851-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0057235-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0189871-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0396321-60
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
솔더볼 표면에 제1 자성을 갖는 자성물질을 코팅하는 단계;반도체 기판에 형성된 전도성 패드에 상기 제1 극성의 반대 극성인 제2 극성을 갖는 자성물질을 코팅하는 단계;제1 극성의 자성 물질이 코팅된 솔더볼을 제2 극성의 자성물질이 코팅된 전도성 패드에 전사시키는 단계; 및 솔더볼이 전사된 반도체 기판을 솔더볼 용융점 이상으로 가열하여 솔더 범프을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 기판의 솔더볼 범핑 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 솔더볼과 상기 전도성 패드 간의 접착력은,상기 솔더볼에 코팅되는 상기 자성물질이 코팅되어, 상기 솔더볼의 외표면을 형성하는 코팅층의 두께에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 솔더볼 범핑 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 솔더볼과 상기 전도성 패드 간의 접착력은,상기 반도체 기판에 가해지는 자계에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 솔더볼 범핑 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 솔더볼 표면에 제1 자성을 갖는 자성물질을 코팅하는 단계는,상기 솔더볼을 소정의 케이스 내에 충진된 자성 물질에 담그어주는 디핑 공정, 솔더볼의 표면에 자성물질을 분사시키는 스프레이(spray) 공정 및 자성 물질을 이용한 전해 도금 공정 또는 무전해 도금 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 이루어지는 것인 반도체 기판의 솔더볼 범핑 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 자성 물질은 니켈, 코발트, 몰리브덴, 철 및 이들 중 적어도 2개를 조합한 물질 중 어느 하나로 이루어진 것인 반도체 기판의 솔더볼 범핑 형성 방법
6 6
기판;상기 기판 상에 소정 간격으로 형성된 전도성 패드;상기 전도성 패드에 코팅된 제1 극성의 자성물질로 이루어진 자성 코팅층; 및 표면에 상기 제1 극성에 반대인 제2 극성의 자성물질이 코팅되어, 상기 전도성 패드에 코팅된 자성 코팅층 상에서 솔더 범프를 형성하는 솔더볼;을 포함하는 반도체 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.