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하부 전극; 상기 하부 전극에 대향되는 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 도입되되 제1유기물층, 상기 제1유기물층 상에 배열되되 상호 간에 이격된 금속 나노입자들의 층 및 상기 나노입자들의 층을 덮는 제2유기물층을 포함하는 전자 채널층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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하부 전극; 상기 하부 전극에 대향되는 상부 전극; 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 도입된 유기물층, 및 상기 유기물층 내에 분산되되 상호 간에 이격된 금속 나노입자들을 포함하는 전자 채널층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자 채널층은 전기 전도도가 외부 전압에 의해 변화하여 상기 전자 채널층이 상대적으로 고전도도 상태 및 저전도도 상태로 변화하여 스위칭(switching)되는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노입자는 1㎚ 내지 20㎚의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노입자들은 상호 간에 균일한 크기를 가지고 상호 간에 균일한 이격 거리를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노입자는 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 코발트(Co), 니켈(Ni) 또는 철(Fe)을 포함하여 합성된 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기물층은 적어도 2eV의 에너지 밴드 갭을 가지는 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 또는 백금(Pt)을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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9
하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 제1유기물층을 형성하는 단계; 합성된 금속 나노입자들이 분산된 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 상기 제1유기물층 상에 코팅하는 단계; 상기 용액으로부터 용매를 증발하여 상기 분산된 나노입자들을 상기 제1유기물층 상에 잔류시키는 단계; 상기 잔류된 나노입자들 상에 제2유기물층을 형성하여 상기 제1유기물층, 상기 나노입자들의 층 및 상기 제2유기물층을 포함하는 전자 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 제2유기물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 유기물층은 고분자 또는 단분자를 증착 또는 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 제조 방법
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하부 전극을 형성하는 단계; 유기물 및 합성된 금속 나노입자들을 혼합하는 단계; 상기 하부 전극 상에 상기 혼합물을 코팅하여 전자 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 채널층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 제조 방법
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11
하부 전극을 형성하는 단계; 유기물 및 합성된 금속 나노입자들을 혼합하는 단계; 상기 하부 전극 상에 상기 혼합물을 코팅하여 전자 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 채널층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 제조 방법
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