맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노 소자의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015143081
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다. 자기조립, 나노구조체, 마스크, 식각, 이온 주입
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080098992 (2008.10.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1062416-0000 (2011.08.30)
공개번호/일자 10-2010-0039978 (2010.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20110906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110008340;
심사청구여부/일자 Y (2008.10.09)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김경섭 대한민국 대구광역시 수성구
3 정석원 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 김형진 대한민국 경기 수원시 장안구
5 박성하 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0704134-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2010-0041083-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0550377-71
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0068114-40
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0068126-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0068118-22
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293639-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
활성 영역을 갖는 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막 상에 자기조립 물질층을 형성하는 단계; 상기 자기조립 물질층을 식각 마스크로 상기 도전막 및 상기 절연막을 차례로 패터닝하여 도전막 패턴 및 절연막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립 물질층을 이온 주입 마스크로 상기 기판에 이온 주입영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 이온 주입영역을 형성한 후에 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계; 및 상기 도전막 패턴 및 상기 절연막 패턴의 측벽에 스페이서막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 자기조립 물질층은 DNA 분자, 단백질, 합성고분자 및 탄소 기반 물질 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 DNA 분자 및 상기 단백질의 각각은 열처리 공정 또는 산성용액으로 제거되고, 상기 합성 고분자는 열처리 공정 또는 화학제를 이용하여 제거되며, 상기 탄소 기반 물질은 탄소계열의 물질을 선택적으로 제거하는 화학제로 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101094738 KR 대한민국 FAMILY
2 US07977177 US 미국 FAMILY
3 US20100093160 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010093160 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7977177 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.