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질화물 반도체 ＭＯＳＦＥＴ 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015163039
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화물 반도체 MOSFET 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 질화물 반도체 MOSFET 제조 방법은 단결정 실리콘 기판상에 유기 금속 화학 증착기(MOCVD)를 이용하여 완충층을 증착하고, 완충층 상에 질화물 반도체 박막을 형성하며, 질화물 반도체 박막 상에 황화암모늄 처리하고, 황화암모늄 처리 후 질화물 반도체 박막 위에 ITO를 이용하여 전극을 형성하며, 전극을 감싸면서, 상기 질화물 반도체 상에 게이트 유전체를 형성하고, 상기 질화물 반도체 위에 ITO를 이용하여 게이트 전극을 형성한다. 이에 의해, 질화물 반도체가 Enhancement-mode로 동작함으로써, 누설전류 및 출력소모를 감소시킬 수 있고, 센서와 집적화가 간단하게 구현될 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/435(2013.01) H01L 29/435(2013.01) H01L 29/435(2013.01)
출원번호/일자 1020100092572 (2010.09.20)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1195259-0000 (2012.10.22)
공개번호/일자 10-2012-0030811 (2012.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20121029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 함성호 대한민국 대구광역시 수성구
2 정병권 대한민국 대전광역시 유성구
3 이창주 대한민국 대구광역시 달서구
4 김태현 대한민국 대전광역시 동구
5 김동석 대한민국 대구광역시 동구
6 이정희 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0613188-13
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0227768-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066794-73
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0479269-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0835971-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0835975-14
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0143895-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0383492-73
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0383491-27
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0599085-05
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 실리콘 기판상에 유기 금속 화학 증착기(MOCVD)를 이용하여 완충층을 증착하는 단계; 상기 완충층 상에 질화물 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 질화물 반도체 박막에 황화암모늄 처리하는 단계; 상기 황화암모늄 처리 후, 상기 질화물 반도체 박막 위에 ITO(Indume tin oxide)를 이용한 전극을 형성하는 단계;상기 전극을 감싸며, 상기 질화물 반도체 박막 상에 게이트 유전체를 형성하는 단계; 및상기 게이트 유전체 상에 ITO를 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 MOSFET의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 질화물 반도체 박막을 형성하는 단계는,1070℃에서 0
3 3
제1항에 있어서,상기 황화암모늄 처리하는 단계는,상기 질화물 반도체 박막 부분을 60℃의 황화암모늄 용액에 15분 동안 담그는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는,RF 스퍼터링 시스템에 의해 1000Å 두께의 ITO가 증착됨으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 게이트 유전체를 형성하는 단계는,플라즈마 화학 증착 장치(PECVD)에 의해 300Å의 두께의 SiO2를 증착하여 상기 게이트 유전체를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 질화물 반도체 박막은,GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET의 제조 방법
7 7
단결정 실리콘 기판;상기 단결정 실리콘 기판상에 유기 금속 화학 증착기(MOCVD)를 이용하여 증착된 완충층; 상기 완충층 상에 형성된 질화물 반도체 박막;상기 질화물 반도체 박막 위에 ITO(Indume tin oxide)를 이용하여 형성된 전극;상기 전극을 감싸며, 상기 질화물 반도체 박막 상에 형성된 게이트 유전체; 및상기 게이트 유전체 상에 ITO를 증착하여 형성된 게이트 전극;을 포함하고,상기 질화물 반도체 박막은,황화암모늄 처리된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET
8 8
제7항에 있어서,상기 질화물 반도체 박막은,GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,상기 질화물 반도체 박막은,상기 질화물 반도체 박막 부분을 60℃의 황화암모늄 용액에 15분 동안 담그는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 MOSFET
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1 교육과학기술부 경북대학교 이공학분야 자외선 이미지 검출을 위한 GaN UV 센서 어레이 제작