| 1 |
1
(a) 기판을 패터닝 하는 단계;
(b) 상기 패터닝된 기판상에 금속을 증착하여 박막을 형성하는 단계;
(c) 상기 금속 박막이 형성된 기판을 열처리 하여 패터닝된 금속 실리사이드 층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 패터닝된 금속 실리사이드 층에 단결정 층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 박막 제조방법
|
| 2 |
2
(a) 기판상에 절연층을 증착하는 단계;
(b) 상기 절연층 상에 다결정 또는 비정질 실리콘층을 증착하는 단계;
(c) 상기 다결정 또는 비정질 실리콘층을 패터닝 하는 단계;
(d) 상기 패터닝된 다결정 또는 비정질 실리콘층상에 금속을 증착하여 박막을 형성하는 단계;
(e) 상기 금속 박막이 형성된 기판을 열처리 하여 패터닝된 금속 실리사이드 층을 형성하는 단계;
(f) 상기 패터닝된 금속 실리사이드 층에 단결정 층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 박막 제조방법
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판의 재질은 실리콘, 사파이어, SiC 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 단결정 박박 제조방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,
상기 절연층은 SiO2 인 것을 특징으로 하는 단결정 박막 제조방법
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 금속은 니켈인 것을 특징으로 하는 단결정 박막 제조방법
|
| 6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 단결정 층은 MOCVD를 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 단결정 박막 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 단결정 층은 GaN, InN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 으로 이루어진 군에서 선택된 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 단결정 박막 제조방법
|
| 8 |
8
실리콘 기판;
상기 실리콘 기판 위에 형성된 절연층;
상기 절연층 위에 적층된 패터닝된 금속 실리사이드 층;
상기 금속 실리사이드 층 위에 형성된 단결정 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 박막
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,
상기 금속은 니켈인 것을 특징으로 하는 단결정 박막
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,
상기 단결정 층은 GaN, InN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 으로 이루어진 군에서 선택된 화합물 반도체 인것을 특징으로 하는 단결정 박막
|
