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고분자 전기인광소자(polymer electrophosphorescent light emitting diodes)에 발광 도펀트(dopant)로 사용되는 것으로 하기 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(III) 착화합물: [화학식 1] 상기 식에서, R은 알킬, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고, R'은 H, F, 알킬, 알콕시, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택된다
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제1항에 있어서, 상기 이리듐(III) 착화합물은 하기 화학식 1a, 1b 또는 1c의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(III) 착화합물: [화학식 1a] [화학식 1b] [화학식 1c] 상기 식에서, R'은 H, F, 알킬, 알콕시, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택됨
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제2항에 있어서, 상기 이리듐(III) 착화합물은 하기 화학식 1aa, 1bb 또는 1cc의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(III) 착화합물: [화학식 1aa] [화학식 1bb] [화학식 1cc]
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이핵 착화합물인 [Ir(ppy)2Cl]2(ppy는 2-phenylpyridine의 음이온)를 포스핀(phosphine: PX3)과 반응시킨 후 이 혼합물을 24 시간 교반한 후 여과하고; 상기 여과물로부터 용매를 진공 증발시키고; 상기 화합물을 칼럼 크로마토그래피에 의하여 포스핀 클로로 착화합물(전구체 착화합물)을 제조하고; 그리고 상기 전구체 착화합물을 용매에 용해시켜 메틸알코올에 녹아있는 KCN과 반응시키는; 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(III) 착화합물의 제조방법: [화학식 1] 상기 식에서, R은 알킬, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고, R'은 H, F, 알킬, 알콕시, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택된다
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제4항에 있어서, 상기 포스핀(phosphine: PX3)은 P(ph)3(ph는 페닐기임), P(Oph)3(ph는 페닐기임) 및 P(n-bu)3(n-bu는 n-부틸기임)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(III) 착화합물의 제조방법
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제1항의 상기 화학식 1의 구조를 갖는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(III) 착화합물을 제조하기 위한 하기 화학식 2의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전구체 착화합물: [화학식 2] 상기 식에서, R'은 H, F, 알킬, 알콕시, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고, PX3는 P(ph)3(ph는 페닐기임), P(Oph)3(ph는 페닐기임) 및 P(n-bu)3(n-bu는 n-부틸기임)로 이루어지는 군으로부터 선택된다
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이핵 착화합물인 [Ir(ppy)2Cl]2(ppy는 2-phenylpyridine의 음이온)를 포스핀(phosphine: PX3)과 반응시켜 이 혼합물을 24 시간 교반한 후 여과하고; 상기 여과물로부터 용매를 진공 증발시키고; 그리고 상기 화합물을 칼럼 크로마토그래피에 의하여 분리하는; 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 전구체 착화합물의 제조방법: [화학식 2] 상기 식에서, R'은 H, F, 알킬, 알콕시, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고, PX3는 P(ph)3(ph는 페닐기임), P(Oph)3(ph는 페닐기임) 및 P(n-bu)3(n-bu는 n-부틸기임)로 이루어지는 군으로부터 선택된다
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제1항 내지 제3항의 어느 한 이리듐(III) 착화합물을 발광 도펀트(dopant)로 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자 전기인광소자(polymer electrophosphorescent light emitting diodes)
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제8항에 있어서, 상기 이리듐(III) 착화합물을 하기 화학식 4의 구조를 갖는 PVK와 같은 정공 수송용 고분자 호스트에 도핑되는 것을 특징으로 하는 전고분자 전기인광소자(polymer electrophosphorescent light emitting diodes)
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제8항에 있어서, 상기 이리듐(III) 착화합물이 457 nm 에서 497 nm 영역에서 최대발광이 나타나는 것을 특징으로 하는 고분자 전기인광소자(polymer electrophosphorescent light emitting diodes)
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제8항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판, 양극층, 정공 수송 고분자층, PVK 및 발광물질을 포함하는 발광층, 엑시톤 및 정공 블로킹층, 전자 수송층, 및 음극층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 전기인광소자(polymer electrophosphorescent light emitting diodes)
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제8항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판, 양극층, 정공 수송 고분자층, PVK 및 발광물질을 포함하는 발광층, 엑시톤 및 정공 블로킹층, 전자 수송층, 및 음극층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 전기인광소자(polymer electrophosphorescent light emitting diodes)
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