요약 | 본 발명의 일 측면에 따라, 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물이 제공된다:003c#화학식 1003e#Ir(L11)n11(L12)n12본 발명의 다른 측면에 따라, 제1전극, 제2전극, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 제1화합물을 포함하고, 상기 제1화합물은 하기 식 1을 만족하는, 유기 발광 소자가 제공된다:003c#식 1003e#82 (%) 003c# (μH/μT)2 × 100 ≤ 100 (%) |
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Int. CL | C07F 15/00 (2016.03.21) C09K 11/06 (2016.03.21) H01L 51/50 (2016.03.21) H01L 51/00 (2016.03.21) H05B 33/14 (2016.03.21) |
CPC | C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020160014996 (2016.02.05) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2017-0093507 (2017.08.16) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2016.02.05) |
심사청구항수 | 9 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 김장주 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
2 | 김권현 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.02.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0128342-12 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.06.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0416971-24 |
3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.08.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0790612-85 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0790611-39 |
5 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2017.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0758093-84 |
6 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 |
2017.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1199401-29 |
7 | 법정기간연장승인서 |
2017.12.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0172876-85 |
8 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2018.01.02 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2018-0005628-48 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0005627-03 |
10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2018.01.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0073502-79 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물:003c#화학식 1003e#Ir(L11)n11(L12)n12003c#화학식 1A003e#상기 화학식 1 및 1A 중,L11 및 L12는 서로 상이하고;L11은 상기 화학식 1A로 표시되고;L12은 한 자리 리간드 및 두 자리 리간드 중에서 선택되고;n11은 1 및 2 중에서 선택되고; n11이 2인 경우 복수개의 L11은 서로 동일하거나 상이하고;n12은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고; n12가 2 이상인 경우 복수개의 L12는 서로 동일하거나 상이하고;R11은 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(=O)(Q1), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;R12 내지 R18은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(=O)(Q1), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32); 중에서 선택되고,Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택되고;* 및 *'은 상기 화학식 1 중의 Ir과의 결합 사이트이다 |
2 |
2 제1항에 있어서,R11은C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;-F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및-F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택되는, 유기금속 화합물 |
3 |
3 제1항에 있어서,R12 내지 R18은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;-F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및-F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C20헤테로아릴기, C1-C20헤테로아릴옥시기, C1-C20헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 중에서 선택되는, 유기금속 화합물 |
4 |
4 제1항에 있어서,R12 및 R13는 수소가 아닌, 유기금속 화합물 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 하기 화학식 1-1로 표시되는 유기금속 화합물:003c#화학식 1-1003e#상기 화학식 1-1 중,R11 내지 R18, n11 및 n12는 상기 화학식 1에서 정의한 바를 참조하고;X41 및 X42는 서로 독립적으로, O, S, N(R44), P(R44)(R45) 및 As(R44)(R45) 중에서 선택되고;R41 내지 R45는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기 및 C6-C20아릴기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 및 니트로기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 및중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기; 중에서 선택된다 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 하기 화합물 1 내지 3 중에서 선택되는, 유기금속 화합물: |
7 |
7 제1전극;제2전극;상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 유기층을 포함하고;상기 유기층은 제1화합물을 포함하고;상기 제1화합물은 하기 식 1을 만족하는, 유기 발광 소자:003c#식 1003e#82 (%) 003c# (μH/μT)2 × 100 ≤ 100 (%)상기 식 1 중,μT는 상기 제1화합물의 전이 쌍극자 모멘트(transition dipole moment) 값이고,μH는 μT의 상기 제1전극과 평행한 방향(xz-평면 방향)의 성분 값이다 |
8 |
8 제7항에 있어서,상기 제1화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 유기 발광 소자:003c#화학식 1003e#Ir(L11)n11(L12)n12003c#화학식 1A003e#상기 화학식 1 및 1A 중,L11 및 L12는 서로 상이하고;L11은 상기 화학식 1A로 표시되고;L12은 한 자리 리간드 및 두 자리 리간드 중에서 선택되고;n11은 1 및 2 중에서 선택되고; n11이 2인 경우 복수개의 L11은 서로 동일하거나 상이하고;n12은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고; n12가 2 이상인 경우 복수개의 L12는 서로 동일하거나 상이하고;R11은 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(=O)(Q1), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;R12 내지 R18은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(=O)(Q1), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는, 중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32); 중에서 선택되고,Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택되고;* 및 *'은 상기 화학식 1 중의 Ir과의 결합 사이트이다 |
9 |
9 제7항에 있어서,상기 발광층은 호스트를 더 포함하고;중량 기준으로, 상기 제1화합물의 함량은 상기 호스트의 함량보다 작거나 같은, 유기 발광 소자 |
10 |
10 제7항에 있어서,상기 발광층은 제1호스트 및 제2호스트를 더 포함하고;중량 기준으로, 상기 제1화합물의 함량은 상기 제1호스트의 함량 및 상기 제2호스트의 함량보다 작거나 같은, 유기 발광 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 미래창조과학부 | 미래창조과학부 | 기초연구사업/중견연구자지원사업 | 유기전기발광다이오드(OLED)의 한계 효율 극복을 위한 인광염료의 발광쌍극자 배향 제어와 혁신적인 소자구조 연구 |
등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.02.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0128342-12 |
2 | 의견제출통지서 | 2017.06.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0416971-24 |
3 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.08.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0790612-85 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0790611-39 |
5 | 거절결정서 | 2017.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0758093-84 |
6 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2017.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1199401-29 |
7 | 법정기간연장승인서 | 2017.12.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2017-0172876-85 |
8 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2018.01.02 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2018-0005628-48 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0005627-03 |
10 | 거절결정서 | 2018.01.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0073502-79 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
기술정보가 없습니다 |
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과제정보가 없습니다 |
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