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화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자(Compound and Organic light emitting device comprising same)

  • 기술번호 : KST2016016870
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화학식 1 내지 화학식 8의 화합물 및 이을 포함하는 유기 발광 소자가 개시된다.화학식 1 내지 화학식 8에 대해서는 상세한 설명을 참조한다.
Int. CL C07D 239/72 (2006.01.01) C07D 239/74 (2006.01.01) C07D 215/02 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01) C07D 239/72(2013.01)
출원번호/일자 1020150033243 (2015.03.10)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0110656 (2016.09.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.10)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세훈 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 홍종인 대한민국 서울특별시 관악구
3 정성진 대한민국 서울특별시 관악구
4 김미경 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 정혜인 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0233704-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0253194-88
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1 내지 화학식 8로 표시되는 화합물:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#003c#화학식 4003e#003c#화학식 5003e#003c#화학식 6003e#003c#화학식 7003e#003c#화학식 8003e#상기 화학식 1 내지 8 중, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;L은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;X는 N 또는 CR7이며;R1 내지 R7은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2) 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5) 중에서 선택되고;상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;상기 Q1 내지 Q5, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 8 중에서, Ar1 및 Ar2가 연결되어 고리를 형성하는 화합물
3 3
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 8 중에서, R1 내지 R7은 각각 독립적으로, 수소 및 중수소 중에서 선택되는 화합물
4 4
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 8 중에서, L이 하기 화학식 2a인 화합물:상기 화학식 중, *는 결합 자리를 나타낸다
5 5
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 8 중에서, Ar1 및 Ar2가 각각 독립적으로 하기 화학식 3a 및 화학식 3b 중에서 선택되는 화합물:상기 화학식 중, Z1 은 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기, 카르복시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 또는 -Si(Q3)(Q4)(Q5),이고;Z1 가 복수개인 경우 독립적으로 각각은 동일하거나, 또는 다르며;p는 1 내지 7의 정수이고;*는 결합 자리를 나타낸다
6 6
제1항에 있어서,상기 화학식 1이 하기 화학식 21인 화합물:003c#화학식 21003e#
7 7
제1항에 있어서,상기 화학식 2가 하기 화학식 22인 화합물:003c#화학식 22003e#
8 8
제1항에 있어서,상기 화학식 3이 하기 화학식 23인 화합물:003c#화학식 23003e#
9 9
제1항에 있어서,상기 화학식 4 또는 5가 하기 화학식 24인 화합물:003c#화학식 24003e#
10 10
제1항에 있어서,상기 화학식 6이 하기 화학식 25인 화합물:003c#화학식 25003e#
11 11
제1항에 있어서,상기 화학식 7 또는 8이 하기 화학식 26인 화합물:003c#화학식 26003e#
12 12
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 8의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 화합물:
13 13
제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층이 제1항의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 유기층이 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자
15 15
제13항에 있어서,상기 제1전극이 애노드이고, 상기 제2전극이 캐소드이고, 상기 유기층이, i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되며, 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역 및 ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되며, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함한, 유기 발광 소자
16 16
제15항에 있어서,상기 발광층이 제1항의 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
17 17
제15항에 있어서,상기 발광층에 제1항의 상기 화합물이 도펀트로서 사용되는 유기 발광 소자
18 18
제15항에 있어서,상기 정공 수송 영역이 전하-생성 물질을 포함하는 유기 발광 소자
19 19
제15항에 있어서,상기 전자 수송 영역이 금속 착체를 포함하는 유기 발광 소자
20 20
제13항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.