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전기인광소자용 삼중항 발광체로서의 트리스-오소메탈이리듐 착화합물, 그 제조 방법, 및 이를 이용한전기인광소자

  • 기술번호 : KST2015160348
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 고(高) 발광 이리듐(Ⅲ) 오소메탈 착화합물은 전기인광소자의 발광층에 사용되는 것으로 하기 화학식 1의 구조를 갖는다: [화학식 1] 상기식에서, R은 각각 알킬, 아릴 및 아릴 치환체로 이루어진 군으로부터 선택되며, 피리딘 고리의 3, 4 또는 5번 위치에 치환될 수 있다. 상기 오소메탈 착화합물은 Ir(acac)3과 Hmpp의 몰비를 1 : 6 으로 하고 반응 온도를 160 ℃까지 점차적으로 증가시키면서 반응물의 교반에 의해 제조한다. facial-[Ir(mpp)3](이하 "Ir(mpp)3"이라 함)의 수율을 60 %로 높이기 위하여 개시물질인 Ir(acac)3과 Hmpp의 비율을 1 : 12로 변화시키고, 반응시간에 따라 온도를 160 ℃에서 220 ℃로 변화시키는 것이 바람직하다. 이리듐, 오소메탈, 착화합물, OLED, 삼중항 발광체
Int. CL C07F 15/00 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H05B 33/14 (2006.01.01)
CPC C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01)
출원번호/일자 1020030099651 (2003.12.30)
출원인 동우 화인켐 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0070301 (2005.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동우 화인켐 주식회사 대한민국 전라북도 익산시
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울특별시양천구
2 이창렬 대한민국 서울특별시관악구
3 다스,루파스리라기니 인도 대한민국광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최덕규 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ***호 (서초동, 강남빌딩)(명지특허법률사무소)
2 이혜진 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0505934-70
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2003.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2003-5253769-82
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0066807-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0541844-18
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0036798-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-0009286-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.05.07 수리 (Accepted) 4-1-2010-5080832-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.21 수리 (Accepted) 4-1-2013-5156547-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161555-49
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 구조를 갖고 유기 발광 소자용 삼중항 발광체로서 사용하기 위한 트리스-오소메탈 이리듐 착화합물: [화학식 1] 상기식에서, R은 각각 알킬, 아릴 및 아릴 치환체로 이루어진 군으로부터 선택되며, 피리딘 고리의 3, 4 또는 5번 위치에 치환됨
2 2
제1항에 있어서, 상기 R은 모두 메틸기이고 피리딜 고리의 3번 위치에 치환되는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 2의 구조를 갖고 유기 발광 소자용 삼중항 발광체로서 사용하기 위한 트리스-오소메탈 이리듐 착화합물: [화학식 2]
3 3
제1항에 있어서, 상기 착화합물은 523 nm에서 녹색 발광을 내는 것을 특징으로 하는 트리스-오소메탈 이리듐 착화합물
4 4
Ir(acac)3(트리스아세틸아세토네이토 이리듐(III), trisacetylactonato iridium(III))과 Hmpp(3-메틸-2-페닐피리딘)의 몰비를 1 : 6 내지 1 : 12의 범위로 하고 반응 온도를 220 ℃까지 점차적으로 증가시키면서 교반하면서 반응시키고; 누른빛을 띠는 녹색 생성물이 분리될 때 상기 반응물에 염산을 첨가하고; 상기 반응물을 여과하고; 상기 여과물을 물, 에테르 또는 에틸 알콜로 세척하여 건조시키고; 그리고 상기 건조 생성물은 용이제(溶離劑, eluent)로서 디클로로메탄을 사용한 실리카 칼럼(column)에 의해 정제하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 유기 발광 소자용 삼중항 발광체로서 사용하기 위한 트리스-오소메탈 이리듐 착화합물의 제조 방법: [화학식 1] 상기식에서, R은 각각 알킬, 아릴 및 아릴 치환체로 이루어진 군으로부터 선택되며, 피리딘 고리의 3, 4 또는 5번 위치에 치환됨
5 5
하기 화학식 1의 구조를 갖는 트리스-오소메탈 이리듐 착화합물을 삼중항 발광체로 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전기인광소자: [화학식 1] 상기식에서, R은 각각 알킬, 아릴 및 아릴 치환체로 이루어진 군으로부터 선택되며, 피리딘 고리의 3, 4 또는 5번 위치에 치환됨
6 6
제5항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 쌍극성 호스트(host) 물질로서 CBP(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl)를 사용하고, 게스트(guest) 물질로서 상기 트리스-오소메탈 이리듐 착화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
7 7
제5항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 3000 mA/㎠의 전류에서 2 %의 낮은 농도의 발광 물질 도핑에 의해서도 100,000 cd/㎡ 이상의 휘도를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
8 7
제5항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 3000 mA/㎠의 전류에서 2 %의 낮은 농도의 발광 물질 도핑에 의해서도 100,000 cd/㎡ 이상의 휘도를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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