맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161860
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 소자는 서로 다른 전기적 특성을 갖는 적어도 둘 이상의 질화물계 전극 접합층과, 두 개의 상기 전극 접합층 사이에 배치되는 장벽층을 포함하는 반도체층; 서로 다른 전기적 특성의 상기 전극 접합층에 각각 접촉하는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 장벽층에 접촉하여 형성되는 절연층; 및 상기 절연층상에 형성된 제3 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0642(2013.01) H01L 29/0642(2013.01) H01L 29/0642(2013.01) H01L 29/0642(2013.01)
출원번호/일자 1020110131260 (2011.12.08)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1376221-0000 (2014.03.13)
공개번호/일자 10-2013-0064578 (2013.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20140321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.08)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 임기식 대한민국 대구광역시 북구
4 김기원 대한민국 대구광역시 수성구
5 강희성 대한민국 대구광역시 북구
6 양충모 대한민국 대구광역시 북구
7 원철호 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0976972-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080615-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0112176-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0346259-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0346258-28
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0542187-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0904130-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0904129-81
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0084788-17
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0223954-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 다른 도전형을 갖는 적어도 둘 이상의 질화물계 소스/드레인층과, 두 개의 상기 소스/드레인층 사이에 배치되는 장벽층을 포함하는 반도체층;서로 다른 도전형의 상기 소스/드레인층에 각각 접촉하는 제1 전극 및 제2 전극;상기 장벽층에 접촉하여 형성되는 절연층; 및상기 절연층상에 형성된 게이트 전극; 을 포함하고,상기 장벽층은 서로 다른 밴드갭(band gap) 에너지를 갖는 제1 장벽층 및 제2 장벽층을 포함하고, 상기 제1 장벽층은 상기 제2 전극과 접촉하는 상기 제2 소스/드레인층상에 형성되며, 상기 제2 장벽층보다 밴드갭 에너지가 작으며, 상기 반도체층은 상기 제1 전극이 형성되는 제1 영역과 상기 제2 전극이 형성되는 제2 영역으로 구분되며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 서로 다른 높이의 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 장벽층은 인듐갈륨나이트라이드(InxGa1-xN)(여기서, x는 양의 정수) 로 형성되고,상기 제2 장벽층은 알루미늄나이트라이드(AlN)로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 장벽층 및 상기 제2 장벽층 중 적어도 하나는 비소(As) 또는 인(P) 계열인 5족 계열의 화합물인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 단차를 이루는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계 부위에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 전극이 접촉하는 소스/드레인층은 P형 갈륨나이트라이드(P-GaN), N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 및 도핑되지 않은 갈륨나이트라이드(U-GaN) 중 어느 하나로 형성되고,상기 제2 전극이 접촉하는 소스/드레인층은 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 및N(+)형 갈륨나이트라이드(N+-GaN) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터
9 9
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극은 동일 금속 물질로 형성되고,상기 게이트 전극은 상기 제1 및 제2 전극과 서로 다른 금속 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터
10 10
서로 다른 도전형을 갖는 질화물계의 제1 및 제2 소스/드레인층과, 상기 제1 및 제2 소스/드레인층 사이에 장벽층을 배치시켜 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 일부를 제거하여 상기 장벽층을 노출시키는 단계;노출된 상기 장벽층을 포함하여 상기 반도체층상에 절연층을 형성하고, 상기 제1 및 제2 소스/드레인층에 형성된 절연층의 일부를 제거하여 컨택홀을 각각 형성하는 단계;상기 컨택홀을 통해 상기 제1 및 제2 소스/드레인층에 접촉하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하도록 상기 장벽층이 노출된 부위의 상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 장벽층은 서로 다른 밴드갭(band gap) 에너지를 갖는 제1 장벽층 및 제2 장벽층을 포함하고,상기 제1 장벽층은 상기 제2 전극과 접촉하는 상기 제2 소스/드레인층상에 형성되며, 상기 제2 장벽층보다 밴드갭 에너지가 작으며, 상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극이 형성되는 상기 반도체층의 제1 영역과 상기 제2 전극이 형성되는 상기 반도체층의 제2 영역 간에 서로 다른 높이의 단차를 갖도록 상기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 장벽층을 노출시키는 단계는, 상기 제2 소스/드레인층이 형성되는 상기 반도체층의 제2 영역을 식각하여 상기 장벽층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 장벽층을 노출시키는 단계는, 상기 식각에 의해 상기 제2 소스/드레인층을 더 노출시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제10항에 있어서,상기 제1 장벽층은 인듐갈륨나이트라이드(InxGa1-xN)로 형성하고,상기 제2 장벽층은 알루미늄나이트라이드(AlN)로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 제1 장벽층 및 상기 제2 장벽층 중 적어도 하나는 비소(As) 또는 인(P) 계열인 5족 계열의 화합물인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 터널링 전계효과트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.