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질화물 반도체 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2014060800
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화물 반도체 제조방법은 기판에 고농도의 n형 질화갈륨층, 저농도의 n형 질화갈륨층, p형 질화갈륨층 및 n형 질화갈륨층을 순차적으로 에피층을 성장하는 단계, n형 질화갈륨층, p형 질화갈륨층 및 저농도의 n형 질화갈륨층의 상부면 일부를 수직방향으로 식각하여 기판 표면으로부터 수직 방향으로 돌출되는 3차원 입체 구조를 형성하는 단계, 저농도의 n형 질화갈륨층의 일부를 식각하여 고농도의 n형 질화갈륨층의 상부면 일부를 노출시키는 단계, 산화막을 증착하는 단계 및 3차원 입체 구조에서 n형 질화갈륨층의 상부면에 접하는 소스 컨택트 및 고농도의 n형 질화갈륨층에 접하는 드레인 컨택트를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020110086050 (2011.08.26)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1247747-0000 (2013.03.20)
공개번호/일자 10-2013-0022971 (2013.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.26)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 임기식 대한민국 대구광역시 북구
3 김기원 대한민국 대구광역시 수성구
4 김동석 대한민국 대구광역시 동구
5 강희성 대한민국 대구광역시 북구
6 김륜휘 대한민국 울산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0667518-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031840-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0563271-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0977437-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0977435-02
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0163889-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 고농도 n형 질화갈륨층, 저농도 n형 질화갈륨층, p형 질화갈륨층 및 n형 질화갈륨층을 순차적으로 에피층을 성장하는 단계;상기 n형 질화갈륨층, 상기 p형 질화갈륨층 및 상기 저농도 n형 질화갈륨층의 상부면 일부를 수직방향으로 식각하여 상기 기판 표면으로부터 수직 방향으로 돌출되는 3차원 입체 구조의 채널층을 형성하는 단계;상기 저농도 n형 질화갈륨층의 일부를 식각하여 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 상부면 일부를 노출시키는 단계;산화막을 증착하는 단계; 및상기 3차원 입체 구조에서 n형 질화갈륨층의 상부면에 접하는 소스 컨택트 및 상기 고농도 n형 질화갈륨층에 접하는 드레인 컨택트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 컨택트 형성 단계는, 상기 n형 질화갈륨층의 상부면 상에 증착된 산화막 부분과, 상기 고농도 n형 질화갈륨층 상에 증착된 산화막 부분을 제거하는 단계; 및상기 n형 질화갈륨층의 노출 영역에 상기 소스 콘택트를 형성하고, 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 노출 영역에 상기 드레인 컨택트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 컨택트 형성 단계는,상기 n형 질화갈륨층의 상부면 상에 증착된 산화막 부분을 제거하는 단계;상기 n형 질화갈륨층의 상부면 상에 상기 소스 컨택트를 형성하는 단계;상기 기판의 하부면을 식각하여 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 하부면까지 연결되는 비아를 형성하는 단계; 및상기 비아 내부에서 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 하부면에 상기 드레인 컨택트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 산화막에 게이트 컨택트를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
5 5
제2항 또는 3항에 있어서,상기 소스 컨택트 또는 상기 드레인 컨택트는 티타늄, 알루미늄, 니튬 및 금으로 이루어진 적층 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 게이트 컨택트는 니튬 및 금으로 이루어진 적층 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 에피층을 형성하는 단계는, MOCVD(Catalyst-free Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy)에 의하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 또는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
9 9
기판;상기 기판 상에 형성된 고농도 n형 질화갈륨층;상기 고농도 n형 질화갈륨층에 순차적으로 형성되어, 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 상부면에 수직한 방향으로 돌출되는 3차원 입체 구조의 채널층을 형성하는 저농도 n형 질화갈륨층, p형 질화갈륨층 및 n형 질화갈륨층;상기 3차원 입체 구조에서 상기 n형 질화 갈륨층의 상부 면을 제외한 부분에 형성된 산화막;상기 n형 질화갈륨층의 상부 면에 형성된 소스 컨택트;상기 고농도 n형 질화갈륨층에 접하는 드레인 컨택트;를 포함하는 질화물 반도체 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 드레인 컨택트는,상기 고농도 n형 질화갈륨층의 상부 표면 상에서 상기 3차원 입체 구조의 일 측에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
11 11
제9항에 있어서,상기 기판 하부로부터 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 하부면까지 연결되는 비아;를 더 포함하며,상기 드레인 컨택트는,상기 비아 내에서 상기 고농도 n형 질화갈륨층의 하부 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
12 12
제9항에 있어서,상기 산화막에 형성되는 게이트 컨택트;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
13 13
제9항에 있어서,상기 소스 컨택트 또는 상기 드레인 컨택트는 티타늄, 알루미늄, 니튬 및 금으로 이루어진 적층 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
14 14
제12항에 있어서,상기 게이트 컨택트는 니튬 및 금으로 이루어진 적층 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
15 15
제9항에 있어서,MOCVD(Catalyst-free Metalorganic Chemical Vapor Deposition)에 의해서 상기 고농도 n형 질화갈륨층, 상기 저농도 n형 질화갈륨층, 상기 p형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층을 순차적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
16 16
제9항에 있어서,상기 기판은 사파이어 또는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
17 17
제9항에 있어서,상기 P형 질화갈륨층 및 상기 저농도 n형 질화갈륨층의 농도와 두께를 조절하여 문턱전압 또는 항복전압을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.