| 1 |
1
반도체 나노입자, 반도체 마이크로입자 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 입자; 및제1 반도체 나노막대, 상기 제1 반도체 나노막대보다 폭이 큰 제2 반도체 나노막대, 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 나노막대를 포함하는 반도체 페이스트 조성물
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 15 내지 25 nm의 크기를 가지고,상기 반도체 마이크로입자는 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 반도체 나노막대는 30 내지 70 nm의 폭 및 500 내지 2000 nm의 길이를 가지고,상기 제2 반도체 나노막대는 100 내지 300 nm의 폭 및 300 내지 1000 nm의 길이를 가지는 반도체 페이스트 조성물
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 반도체 입자는 상기 반도체 나노입자이고,상기 반도체 나노막대는 제1 반도체 나노막대인 반도체 페이스트 조성물
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 반도체 입자는 상기 반도체 마이크로입자이고,상기 반도체 나노막대는 제2 반도체 나노막대인 반도체 페이스트 조성물
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 TiO2, SnO2, ZnO, Nb2O5 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 반도체 마이크로입자는 TiO2, ZnO, SnO2, CaCO3, Al2O3, SiO2 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 반도체 나노막대는 TiO2, ZnO, SnO2 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 페이스트 조성물
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 반도체 페이스트 조성물은 상기 반도체 입자 75 내지 95 중량% 및상기 반도체 나노막대 5 내지 25 중량%를 포함하는 반도체 페이스트 조성물
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 반도체 페이스트 조성물은 비이클(vehicle), 분산제 및 소포제로부터 선택되는 적어도 하나를 더 포함하는 반도체 페이스트 조성물
|
| 9 |
9
반도체 입자 분말 및 반도체 나노막대 분말을 볼텍스 혼합기(Vortex Mixer)를 이용하여 혼합하는 단계를 포함하고,상기 반도체 입자 분말은 반도체 나노입자, 반도체 마이크로입자 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 반도체 나노막대 분말은 제1 반도체 나노막대, 상기 제1 반도체 나노막대보다 폭이 큰 제2 반도체 나노막대, 또는 이들의 조합을 포함하는반도체 페이스트 조성물의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 혼합하는 단계는 상기 반도체 입자 분말 75 내지 95 중량% 및 상기 반도체 나노막대 분말 5 내지 25 중량%를 혼합하는 반도체 페이스트 조성물의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 제1 반도체 나노막대는 30 내지 70 nm의 폭 및 500 내지 2000 nm의 길이를 가지고,상기 제2 반도체 나노막대는 100 내지 300 nm의 폭 및 300 내지 1000 nm의 길이를 가지는 반도체 페이스트 조성물의 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 15 내지 25 nm의 크기를 가지고,상기 반도체 마이크로입자는 0
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 혼합하는 단계는 비이클(vehicle), 분산제 및 소포제로부터 선택되는 적어도 하나를 더 첨가하여 혼합하는 반도체 페이스트 조성물의 제조 방법
|
| 14 |
14
태양광이 입사되어 투과되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하도록 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 광전극층을 포함하는 광활성층; 및 상기 광활성층과 상기 제2 전극 사이에 충진된 전해질을 포함하고,상기 광전극층은 반도체 입자, 반도체 나노막대 및 광감응 염료를 포함하고,상기 반도체 입자는 반도체 나노입자, 반도체 마이크로입자 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 반도체 나노막대는 제1 반도체 나노막대, 상기 제1 반도체 나노막대보다 폭이 큰 제2 반도체 나노막대, 또는 이들의 조합을 포함하는염료감응 태양전지
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 반도체 입자는 상기 반도체 나노입자이고,상기 반도체 나노막대는 제1 반도체 나노막대인 염료감응 태양전지
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 광감응 염료는 상기 반도체 입자 및 상기 반도체 나노막대 중 선택되는 적어도 하나의 표면에 흡착되는 염료감응 태양전지
|
| 17 |
17
제14항 또는 제15항에 있어서,상기 광활성층은 상기 광전극층 위에 위치하는 광산란층을 더 포함하는 염료감응 태양전지
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 광산란층은 반도체 입자 및 반도체 나노막대 중 선택되는 적어도 하나와 광감응 염료를 포함하고,상기 광산란층에 포함되는 상기 반도체 입자는 반도체 나노입자, 반도체 마이크로입자 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 광산란층에 포함되는 상기 반도체 나노막대는 제1 반도체 나노막대, 상기 제1 반도체 나노막대보다 폭이 큰 제2 반도체 나노막대, 또는 이들의 조합을 포함하는염료감응 태양전지
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 광산란층은 상기 반도체 입자, 상기 반도체 나노막대 및 상기 광감응 염료를 포함하고,상기 광산란층에 포함되는 상기 반도체 입자는 상기 반도체 마이크로입자이고,상기 광산란층에 포함되는 상기 반도체 나노막대는 상기 제2 반도체 나노막대인 염료감응 태양전지
|
| 20 |
20
태양광이 입사되어 투과되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하도록 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 광전극층 및 광산란층을 포함하는 광활성층; 및 상기 광활성층과 상기 제2 전극 사이에 충진된 전해질을 포함하고,상기 광전극층은 반도체 입자 및 반도체 나노막대 중 선택되는 어느 하나와 광감응 염료를 포함하고,상기 광산란층은 반도체 입자, 반도체 나노막대 및 광감응 염료를 포함하고,상기 반도체 입자는 반도체 나노입자, 반도체 마이크로입자 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 반도체 나노막대는 제1 반도체 나노막대, 상기 제1 반도체 나노막대보다 폭이 큰 제2 반도체 나노막대, 또는 이들의 조합을 포함하는염료감응 태양전지
|
| 21 |
21
제20항에 있어서,상기 광전극층에 포함되는 상기 반도체 입자는 상기 반도체 나노입자이고, 상기 광전극층에 포함되는 상기 반도체 나노막대는 상기 제1 반도체 나노막대인 염료감응 태양전지
|
| 22 |
22
제20항 또는 제21항에 있어서,상기 광산란층에 포함되는 상기 반도체 입자는 상기 반도체 마이크로입자이고,상기 광산란층에 포함되는 상기 반도체 나노막대는 상기 제2 반도체 나노막대인 염료감응 태양전지
|
| 23 |
23
투명 기판 위에 도전성 물질을 포함하는 도전층을 형성하여 제1 전극을 제조하는 단계; 상기 제1 전극 상에 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 반도체 페이스트 조성물을 도포하여 광전극층을 형성하는 단계; 상기 광전극층에 대해 광감응 염료를 흡착시켜 광활성층을 형성하는 단계; 및 상기 광활성층을 덮어 제2 전극을 형성한 후 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
| 24 |
24
제23항에 있어서,상기 광전극층을 형성하는 단계 이후,상기 광전극층 상에 반도체 입자 및 반도체 나노막대 중 선택되는 적어도 하나를 포함하는 조성물을 도포하여 광산란층을 형성하는 단계를 더 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
| 25 |
25
투명 기판 위에 도전성 물질을 포함하는 도전층을 형성하여 제1 전극을 제조하는 단계; 상기 제1 전극 상에 반도체 입자 및 반도체 나노막대 중 선택되는 어느 하나를 포함하는 조성물을 도포하여 광전극층을 형성하는 단계; 상기 광전극층 상에 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 반도체 페이스트 조성물을 도포하여 광산란층을 형성하는 단계;상기 광전극층 및 상기 광산란층에 대해 광감응 염료를 흡착시켜 광활성층을 형성하는 단계; 및 상기 광활성층을 덮어 제2 전극을 형성한 후 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
|
