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산화물 전구체를 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액에 산화아연 나노막대가 성장된 기판을 담그는 단계; 및상기 산화아연 나노막대가 성장된 기판이 담긴 전구체 용액에 초음파를 인가하여 상기 산화아연 나노막대의 표면에 산화물 나노층을 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 전구체는 티타늄 4염화물, 아세트산 아연, 아세트산 코발트, 아세트산 구리(II) 또는 이들의 조합을 포함하는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 전구체 용액은 상기 산화물 전구체가 0
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제1항에 있어서,상기 초음파는 700 내지 800 W의 전력으로 수행되는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 초음파는 10 내지 30 kHz의 주파수로 수행되는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 초음파는 30 내지 50 %의 진폭으로 수행되는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 초음파를 인가하는 단계는 상기 전구체 용액을 실온으로 유지하여 수행되는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 초음파를 인가하는 단계는 10 내지 40 분 동안 수행되는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화아연 나노막대의 표면에 산화물 나노층을 성장시키는 단계 이후,상기 산화물 나노층이 표면에 성장된 산화아연 나노막대를 소성하는 단계를 더 포함하는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 소성하는 단계는 70 내지 500 ℃의 온도에서 30분 내지 1시간 동안 수행되는 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 산화아연 나노막대 복합재의 제조 방법으로 제조되고,산화아연 나노막대 및 상기 산화아연 나노막대의 표면에 위치하는 산화물 나노층을 포함하는 산화아연 나노막대 복합재
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제11항에 있어서,상기 산화아연 나노막대는 30 내지 200 nm의 폭 및 3 내지 10 ㎛의 길이를 가지는 산화아연 나노막대 복합재
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제11항에 있어서,상기 산화아연 나노막대는 무배향성 또는 수직배향성을 가지는 산화아연 나노막대 복합재
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제11항에 있어서,상기 산화아연 나노막대는 단결정인 산화아연 나노막대 복합재
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제11항에 있어서,상기 산화물 나노층은 Co, Cu, Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, In, TiSr 또는 이들의 조합을 포함하는 금속의 산화물을 포함하는 산화아연 나노막대 복합재
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제11항에 있어서,상기 산화물 나노층은 3 내지 30 nm의 두께를 가지는 산화아연 나노막대 복합재
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제11항에 있어서,상기 산화물 나노층은 무배향성을 가지는 산화아연 나노막대 복합재
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태양광이 입사되어 투과되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하도록 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 광활성층; 및 상기 광활성층과 상기 제2 전극 사이에 충진된 전해질을 포함하고,상기 광활성층은 제11항의 산화아연 나노막대 복합재 및 상기 산화아연 나노막대 복합재의 표면에 흡착되는 광감응 염료를 포함하는 염료감응 태양전지
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제18항에 있어서,상기 광활성층은 3 내지 10 ㎛의 두께를 가지는 염료감응 태양전지
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투명 기판 위에 도전성 물질을 포함하는 도전층을 형성하여 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 초음파화학 성장법을 이용하여 산화아연 나노막대를 성장시키는 단계;상기 산화아연 나노막대의 표면에 초음파화학 성장법을 이용하여 산화물 나노층을 성장시켜 산화아연 나노막대 복합재를 형성하는 단계;상기 산화아연 나노막대 복합재에 광감응 염료를 흡착시켜 광활성층을 형성하는 단계; 및 상기 광활성층을 덮어 제2 전극을 형성한 후 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
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