| 1 |
1
산화아연 전구체를 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계, 및 상기 전구체 용액 중에 나노입자를 포함하는 기판을 넣은 후 전구체 용액의 온도를 85 내지 95℃로 유지하면서 초음파를 인가하여 기판 위에 산화아연을 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노막대의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 산화아연 전구체가 아세트산아연 수화물인 산화아연 나노막대의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 전구체 용액이 산화아연 전구체를 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 전구체 용액에 대한 초음파 인가 공정시 전구체 용액을 90℃로 유지하는 산화아연 나노막대의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 전구체 용액에 대한 초음파 인가 공정이 1 내지 2시간 동안 수행되는 것인 산화아연 나노막대의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 전구체 용액에 대한 초음파 인가 후 결과로 수득된 산화아연 나노막대를 소성하는 공정을 더 포함하는 산화아연 나노막대의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 소성 공정이 80 내지 500℃의 온도에서 30분 내지 1시간 동안 실시되는 것인 산화아연 나노막대의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 산화아연 나노막대
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 산화아연 나노막대가 50nm 내지 200nm의 너비 및 300nm 내지 1500nm의 길이를 갖는 것인 산화아연 나노막대
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 산화아연 나노막대가 무배향성 또는 수직배향성을 갖는 것인 산화아연 나노막대
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 산화아연 나노막대가 단결정인 산화아연 나노막대
|
| 12 |
12
태양광이 입사되어 투과되는 제1전극; 상기 제1전극과 대향하도록 배치된 제2전극; 상기 제1전극과 제2전극 사이에 위치하는 1층 이상의 광활성층; 및상기 광활성층과 상기 제2전극 사이에 충진된 전해질을 포함하며,상기 광활성층은 반도체 나노입자 및 상기 반도체 나노입자의 표면에 흡착되어 가시광 흡수시 전자가 여기되는 광 감응 염료를 포함하는 광전극층, 그리고 상기 반도체 나노입자로부터 성장된 산화아연 나노막대 및 상기 산화아연 나노막대의 표면에 흡착된 광 감응 염료를 포함하는 광산란층을 포함하는 염료감응 태양전지
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 10 내지 25nm의 평균 입자 직경을 갖는 것인 염료감응 태양전지
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 산화아연 나노막대가 50nm 내지 200nm의 너비 및 300nm 내지 1500nm의 길이를 갖는 것인 염료감응 태양전지
|
| 15 |
15
제12항에 있어서,상기 산화아연 나노막대가 무배향성 또는 수직배향성을 갖는 것인 염료감응 태양전지
|
| 16 |
16
제12항에 있어서,상기 산화아연 나노막대가 단결정인 염료감응 태양전지
|
| 17 |
17
제12항에 있어서,상기 광활성층은 9 내지 12㎛의 두께를 갖는 것인 염료감응 태양전지
|
| 18 |
18
투명기판 위에 도전성 물질을 포함하는 도전층을 형성하여 제1전극을 제조하는 단계; 상기 제1전극 상에 반도체 나노입자를 포함하는 조성물을 도포하여 반도체 나노입자층을 형성하는 단계; 초음파화학 성장법을 이용하여 상기 반도체 나노입자층 표면에서 산화아연 나노막대를 성장시켜 산화아연 나노막대층을 형성하는 단계; 상기 반도체 나노입자층 및 산화아연 나노막대층에 대해 염료를 흡착시켜 광활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층을 덮도록 제2전극을 형성한 후 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 산화아연 나노막대층을 형성하는 단계는, 산화아연 전구체를 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계, 및 상기 전구체 용액 중에 반도체 나노입자층이 형성된 제1전극을 넣은 후 전구체 용액의 온도를 85 내지 95℃로 유지하면서 초음파를 인가하여 반도체 나노입자층 표면에서 산화아연 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것인 염료감응 태양전지의 제조방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 산화아연 전구체는 아세트산아연 수화물인 염료감응 태양전지의 제조방법
|
| 21 |
21
제19항에 있어서,상기 전구체 용액은 산화아연 전구체를 0
|
| 22 |
22
제19항에 있어서,상기 전구체 용액에 대한 초음파 인가 공정시 전구체 용액을 90℃로 유지하는 염료감응 태양전지의 제조방법
|
| 23 |
23
제19항에 있어서,상기 전구체 용액에 대한 초음파 인가 공정은 1 내지 2시간 동안 수행되는 것인 염료감응 태양전지의 제조방법
|
| 24 |
24
제19항에 있어서,상기 산화아연 나노막대층을 형성하는 단계는 전구체 용액에 대한 초음파 인가 후 결과로 수득된 산화아연 나노막대에 대한 소성공정을 더 포함하는 것인 하는 공정을 더 포함하는 것인 염료감응 태양전지의 제조방법
|
