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투명전극에 대한 형광체의 부착성을 증가시키기 위한플라즈마 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2015200136
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판 위에 형광체를 도포하는 플라즈마 표면처리 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 투명전극을 성장시키는 단계; 상기 투명전극에서 형광체가 도포될 부분만을 노출시키는 단계; 상기 기판을 플라즈마 반응기 내의 서셉터 위에 안착시키고, 상기 플라즈마 반응기 내에 불활성 기체를 유입시켜 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 기판을 상기 형성된 플라즈마에 노출시키는 단계 및 상기 기판 위에 형광체를 도포하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의할 경우, 간단하게 기판의 표면 거칠기를 증가시킬 수 있으므로, 형광체가 높은 접착력으로 기판에 부착되어 우수한 발광 특성을 얻을 수 있다.플라즈마, 표면처리, 투명전극, 형광체
Int. CL H01J 11/42 (2006.01) H01J 9/22 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01)
출원번호/일자 1020070069253 (2007.07.10)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0005871 (2009.01.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 전라남도 순천시 중앙
2 진용출 대한민국 광주광역시 광산구
3 손기선 대한민국 전라남도 순천시 중앙

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0502661-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5028130-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0161393-29
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0374375-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0451064-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0451077-39
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0512754-42
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.11.04 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0050452-04
9 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0638095-83
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2008.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0638096-28
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2009.02.10 수리 (Accepted) 7-8-2009-0004600-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5115813-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마를 이용하여 기판 위에 형광체를 도포하는 플라즈마 표면처리 방법에 있어서,(ⅰ) 기판 위에 투명전극을 성장시키는 단계;(ⅱ) 상기 투명전극에서 형광체가 도포될 부분만을 노출시키는 단계;(ⅲ) 상기 기판을 플라즈마 반응기 내의 서셉터 위에 안착시키고, 상기 플라즈마 반응기 내에 불활성 기체를 유입시켜 플라즈마를 형성하는 단계;(ⅳ) 상기 기판을 상기 형성된 플라즈마에 노출시키는 단계 및(ⅴ) 상기 기판 위에 형광체를 도포하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 플라즈마에 노출시키는 단계는, 상기 반응기 내의 압력이 1 mTorr ~ 100 Torr이고, 온도가 0~400℃인 조건에서 실행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 불활성 기체는 아르곤(Ar), 질소(N2), 수소(H2), 헬륨(He), 산소(O2), 메탄(CH4)의 군에서 선택되는 하나 이상의 기체임을 특징으로 하는 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 플라즈마 형성 단계는, 유도결합 방식, 용량성 결합 방식, 전자공명 방식에 중 어느 하나의 방식에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 플라즈마 형성 단계는, 유도결합 방식과 용량성 결합방식을 조합한 혼합 방식에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 혼합 방식은, 상기 반응기 둘레에 ICP 코일 안테나를 설치하고,상기 ICP 코일 안테나에 10~20 MHz의 주파수를 갖는 ICP 전력을 1~3000 W로 인가하고,상기 서셉터에 10~20 MHz의 주파수를 갖는 RF 전력을 1~500 W로 인가함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.