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기판, 기판 상에 형성된 그래핀 산화물층, 및그래핀 산화물층 상에 형성된 미세유체 채널층을 포함하되, 상기 미세유체 채널층은 채널 양 입구에 금속 와이어를 위치시키는 것을 특징으로 하는 그래핀의 패터닝과 환원이 동시에 가능한 미세유체 채널 시스템
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 절연층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 미세유체 채널 시스템
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 슬라이드인 것을 특징으로 하는 미세유체 채널 시스템
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은 -COOH, -OH 또는 -O-의 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세유체 채널 시스템
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 미세유체 채널층은 고분자 화합물 또는 글라스 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세유체 채널 시스템
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제 6 항에 있어서, 상기 고분자 화합물은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리알킬실록산(poly(alkylsiloxane)), 폴리(메타)아크릴레이트(poly(meth)acrylate), 폴리알킬(메타)아크릴레이트(polyalkyl(meth)acrylates), 폴리카보네이트(polycarbonates), 폴리사이클릭올레핀(polycyclic olefins), 폴리이미드(polyimides) 및 폴리우레탄(polyurethanes)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 미세유체 채널 시스템
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그라파이트 분말을 그래핀 산화물 분말로 제조하거나 열 화학 기상 증착법으로 니켈 혹은 구리층을 포함하는 기판 상에 제조된 그래핀을 전사 후 표면 처리하여 그래핀 산화물층을 제조하는 단계 및상기 그래핀 산화물층 상에 미세유체 채널을 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 패터닝과 환원이 동시에 가능한 미세유체 채널 시스템의 제조방법
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삭제
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제 8 항에 있어서, 상기 표면 처리는 산소 플라즈마 또는 자외선-오존으로 산화 처리하는 것을 특징으로 하는 미세유체 채널 시스템의 제조방법
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제 1 항의 미세유체 채널 시스템의 채널 부위에 열을 가하여 그래핀 산화물을 그래핀으로 환원시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패터닝방법
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제 11 항에 있어서, 상기 채널 내에 액체 금속 또는 이온성 액체를 주입하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패터닝방법
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제 12 항에 있어서,상기 액체 금속은 Ga, In, Sn 및 Zn으로 구성된 합금; Ga 및 In으로 구성된 합금; Ga, In 및 Sn으로 구성된 공정 합금; Ga 및 In 으로 구성된 공정 합금; Ga; 및 인듐 숄더(Indium Solder)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 패터닝방법
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제 12 항에 있어서,상기 이온성 액체는 암모늄(ammonium), 포스포늄(Phosphonium), 설포늄(Sulphonium), 피롤리디눔(Pyrrolidinum), 이미다졸리움(Imidazolium), 티아졸리움(Thiazolium), 피리디늄(Pyridnium) 및 트리아졸리움(Triazolium) 염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 패터닝방법
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제 11 항에 있어서, 상기 열은 인가 전압을 통해 발생된 것을 특징으로 하는 그래핀 패터닝방법
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제 11 항 내지 제 15 항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 패터닝된 그래핀
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제 16 항의 패터닝된 그래핀을 이용한 전자 소자
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제 16 항의 패터닝된 그래핀을 이용한 중금속 탐지 센서
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제 16 항의 패터닝된 그래핀을 이용한 바이오센서
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제 16 항의 패터닝된 그래핀을 이용한 가스센서
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