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금속 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015202514
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요약 본 발명은 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 금속 막의 식각을 위한 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략한 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다.본 발명의 실시예에 따르면, 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략함으로써, 에칭 공정에 수반되는 환경 유해 물질의 배출을 억제하여 친환경적 금속 패턴 형성 공정을 구현할 수 있고 나아가 공정 절차의 단순화를 통해 대량 생산에 유리할 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트 패턴 구조물을 별도로 제거하지 않고 위 포토 레지스트 패턴 구조물을 금속 패턴의 절연 재료로 활용함으로써 간편한 방식으로 금속간 절연효과가 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020130061049 (2013.05.29)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1481464-0000 (2015.01.06)
공개번호/일자 10-2014-0140675 (2014.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20150115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성의 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 윤영우 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 유시홍 대한민국 서울특별시 용산구
4 안병욱 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 성민호 대한민국 경기 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 김규철 경기도 안성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0477898-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0013792-65
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066577-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0422532-87
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0788670-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0788669-69
8 등록결정서
Decision to grant
2014.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0872272-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 포토 레지스트(photo resist) 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 포토 레지스트 패턴에 수용성 잉크 또는 레진(resin)을 선택적으로 프린팅하는 단계;(c) 상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판에 금속을 증착하는 단계; 및(d) 상기 수용성 잉크 또는 레진의 세정 공정을 통해 상기 포토 레지스트에 형성된 금속 증착막을 제거하는 단계를 포함하는 금속 패턴 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계는,(b-1) 반응성 이온 에칭(Reactive ion etching) 공정을 통해 상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판을 표면 처리하는 단계; 및(b-2) 상기 수용성 잉크 또는 레진을 롤러(roller)에 도포하여 상기 포토 레지스트 패턴의 상단 표면에 선택적으로 프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 (b-1) 단계는,상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대하여 수용성 잉크나 레진의 도포 또는 금속의 증착에 대한 적합 여부를 판단을 위해 상기 기판의 접촉각 또는 표면 형태를 측정하여 상기 표면 처리 수행 결과를 평가하는 단계를 더 포함하며,상기 평가 결과를 기초로 상기 표면 처리를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 금속 증착을 스푸터링(sputtering) 공정 또는 스핀 코팅(spin coating) 공정을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 (a) 단계는,유리 재질의 기판상에 투과율 80% 이상의 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 포토 레지스트 패턴을 전기 절연 소재로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.