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결함(defect)를 갖는 베이스 그래핀층(base graphene layer); 및상기 베이스 그래핀층의 상기 결함에 제공되고 아연 산화물을 포함하는, 링킹 물질(linking material)을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 링킹 물질은, 상기 결함에 인접한 상기 베이스 그래핀층의 탄소와 결합되는 것을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 링킹 물질은, 상기 베이스 그래핀층의 상기 결함에 선택적으로(selectively) 제공되는 것을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 그래핀층의 상기 결함은 결정립계(grain boundary), 점 결함(point defect), 선 결함(line defect), 또는 sp3 혼성화 형태의 결함(sp3 hybridization type defect) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 그래핀층은 다결정(polycrystalline)인 것을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 결함에 인접한 상기 베이스 그래핀층의 탄소는 댕글링 본드(dangling bond)를 갖고, 상기 링킹 물질이 상기 댕글링 본드를 페시베이션(passivation)하는 것을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 그래핀층으로 구성되고 제1 두께를 갖는 제1 부분; 및상기 링킹 물질로 구성되고, 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 결함에 인접한 상기 베이스 그래핀층의 탄소들은, 상기 링킹 물질에 의해 서로 연결되는 것을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 다결정 2차원 그래핀층보다 높은 이동도, 높은 열전도도, 및 낮은 기체투과도를 갖는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 다결정 2차원 그래핀층보다 높은 강도를 갖는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 홀 및 전자의 이동도가, 다결정 2차원 그래핀층의 홀(hole) 및 전자의 이동도보다 더 균일(homogeneous) 것을 포함하는 그래핀 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 그래핀층은 복수의 상기 결함을 포함하고, 복수의 상기 링킹 물질이 상기 복수의 결함에 제공되고, 상기 복수의 링킹 물질은 서로 동일한 물질로 형성된 것을 포함하는 그래핀 구조체
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베이스 기판(base substrate)을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 상에, 결함을 갖는 2차원 베이스 그래핀층(base graphene layer)을 형성하는 단계; 및상기 베이스 그래핀층 상에 소스(source)를 제공하여, 상기 베이스 그래핀층의 상기 결함에 링킹 물질(linking material)을 제공하는 단계를 포함하되,상기 링킹 물질을 제공하는 단계는, 원자층 증착법으로 수행되고, 상기 원자층 증착법의 공정 온도에 따라서, 면 저항 및 이동도가 조절되는 것을 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
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삭제
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제13 항에 있어서, 상기 원자층 증착법의 공정 온도는, 180℃ 이하인 것을 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 베이스 그래핀층 상에 소스를 제공하는 단계는 복수회 수행되고, 상기 베이스 그래핀층 상에 소스를 제공하는 단계가 수행되는 횟수에 따라서, 저항이 조절되는 것을 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 링킹 물질은, 상기 베이스 그래핀층의 상기 결함에 선택적으로 제공되는 것을 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 베이스 기판 상에 전구체를 제공하는 단계가 수행되기 전, 상기 베이스 그래핀층을 다른 기판 상에 전사(transfer)하는 단계를 더 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 베이스 그래핀층의 상기 결함에 상기 링킹 물질을 제공한 후, 상기 베이스 그래핀층 및 상기 링킹 물질을 다른 기판으로 전사(transfer)하는 단계를 더 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
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