맞춤기술찾기

이전대상기술

줄열 가열 방식을 사용한 그래핀층의 제조 방법(Method of manufacturing Graphene layer using joule heating)

  • 기술번호 : KST2017016916
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀층의 제조 방법이 제공된다. 상기 그래핀층의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 탄소 공급원층을 형성하는 단계, 상기 탄소 공급원층 상에 금속 촉매층이 형성되는 단계, 상기 금속 촉매층을 줄 히팅하여, 상기 탄소 공급원층이 그래핀층으로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL C01B 31/04 (2016.05.26) B01J 21/02 (2016.05.26) B01J 23/40 (2016.05.26) B01J 23/72 (2016.05.26) B01J 23/755 (2016.05.26) B01J 35/02 (2016.05.26)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020160052347 (2016.04.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123111 (2017.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문승재 대한민국 서울특별시 마포구
2 유경태 대한민국 전라북도 군산시 미장남로 *,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0411158-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 탄소 공급원층을 형성하는 단계;상기 탄소 공급원층 상에 금속 촉매층이 형성되는 단계; 및상기 금속 촉매층을 줄 히팅(joule heating)하여, 상기 탄소 공급원층이 그래핀층으로 형성되는 단계를 포함하는 그래핀층의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속 촉매층을 줄 히팅하는 단계는, 상기 금속 촉매층 상에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 배치하는 단계; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 전류를 인가하는 단계를 포함하는 그래핀층의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 탄소 공급원층의 측면을 덮는 베리어층이 형성되는 단계를 더 포함하는 그래핀층의 제조방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 베리어층은, 상기 금속 촉매층과 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성되는 것을 포함하는 그래핀층의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 금속 촉매층은, 금속 촉매 패턴이고, 상기 탄소 공급원층은, 상기 금속 촉매 패턴과 중첩되는 제1 부분 및 상기 금속 촉매 패턴과 중첩되지 않는 제2 부분을 포함하는 그래핀층의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 금속 촉매 패턴이 줄 히팅되어, 상기 탄소 공급원층이 상기 그래핀층으로 형성되되,상기 금속 촉매 패턴과 중첩된 상기 제1 부분은 상기 그래핀층으로 형성되고, 상기 금속 촉매 패턴과 중첩되지 않은 상기 제2 부분은 상기 탄소 공급원층으로 잔존되는 것을 포함하는 그래핀층의 제조방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 제2 부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀층의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 금속 촉매층을 줄 히팅하는 단계는, 상기 금속 촉매층에 6A ~ 15A인 전류를 인가하여, 상기 금속 촉매층을 619K ~ 854K의 온도로 가열하는 것을 포함하는 그래핀층의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 그래핀층이 형성된 후, 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계를 더 포함하는 그래핀층의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 금속 촉매층은 Al, Ni, Pt, Ru, Ir 또는 Cu 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 그래핀층의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 탄소 공급원층은 PMMA, PI 또는 PET 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 그래핀층의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부(2013Y) (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 일반연구자지원사업 / 기본연구(기본) 전열법을 이용한 실리콘 기판 위 그래핀의 대면적 성장공정