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전자 소자, 및 그 제조 방법(electronic device, and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016007937
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 전자 소자의 제조 방법은, 지지 기판(support substrate)을 준비하는 단계, 상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 제공하여, 희생막을 형성하는 단계, 상기 희생막 상에 베이스 기판(base substrate)을 형성하는 단계, 및 상기 희생막을 열처리하여 상기 희생막을 열분해시켜, 상기 지지 기판으로부터, 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 27/32 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01)
출원번호/일자 1020140121316 (2014.09.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0031659 (2016.03.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한태희 대한민국 서울특별시 광진구
2 박진성 대한민국 경기 성남시 분당구
3 박헌 대한민국 부산 부산진구
4 노승현 대한민국 서울 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0867505-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0695161-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0382217-51
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0727208-41
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0824609-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0824585-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0877920-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지 기판(support substrate)을 준비하는 단계;상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 제공하는 용액 공정으로, 희생막을 형성하는 단계;상기 희생막 상에 베이스 기판(base substrate)을 형성하는 단계; 및상기 희생막을 열처리하여 상기 희생막을 열분해시켜, 상기 지지 기판으로부터, 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 희생막을 형성하는 단계는, 상기 그래핀 산화물을 준비하는 단계; 및상기 그래핀 산화물에 탈착 조절제(debonding control agent)을 첨가하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 희생막은, 상기 그래핀 산화물 및 상기 탈착 조절제를 포함하고, 상기 탈착 조절제의 첨가량에 따라서, 상기 희생막의 열분해 속도가 조절되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 탈착 조절제의 첨가량이 증가될수록, 상기 희생막의 열분해 속도가 증가되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
5 5
제2 항에 있어서, 상기 희생막 내의 상기 그래핀 산화물의 적어도 일부가 상기 열처리 과정에서 환원되어, 환원된 그래핀 산화물이 생성되고, 상기 탈착 조절제는 상기 환원된 그래핀 산화물, 또는 잔존된 상기 그래핀 산화물의 연소에 필요한 활성화 에너지를 감소시키는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
6 6
제2 항에 있어서, 상기 탈착 조절제는, 알칼리 금속염을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 베이스 기판을 상기 지지 기판으로부터 분리시키기 전, 상기 베이스 기판 상에 소자 구성층(device element layer)을 제조하는 단계를 더 포함하는 전자 소자의 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 베이스 기판은 상기 지지 기판보다 플렉시블(flexible)한 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
9 9
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10 10
삭제
11 11
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101714836 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2016039541 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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