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300 내지 700 ℃의 온도 범위 하에서, 아르곤 가스와 산소 가스의 분압 비율이 95:5 초과 97:3 이하인 상태에서 구리 타겟을 이용하여 스퍼터링 공정을 수행하는 단계를 포함하되,상기 스퍼터링 공정을 통해서 황화수소 센싱용 화합물이 형성되고,상기 황화수소 센싱용 화합물은 산화구리(Cu2O)-구리(Cu) 복합체이고, 로드나 트리 형상을 갖는 것을 특징으로 하는,황화수소 센싱층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 400 내지 550 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는,황화수소 센싱층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정을 수행하는 단계는 아르곤 가스와 산소 가스의 분압 비율을 96:4로 하여 로드를 형성하는 것을 특징으로 하는,황화수소 센싱층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정을 수행하는 단계는 아르곤 가스와 산소 가스의 분압 비율을 97:3으로 하여 트리를 형성하는 것을 특징으로 하는,황화수소 센싱층의 제조 방법
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베이스 기판 상에 형성되고, 랜덤하게 배치된 로드 또는 트리 형태의 산화구리(Cu2O)-구리(Cu) 복합체를 포함하는 센싱층; 및상기 센싱층 상에 서로 이격되어 배치된 2개의 전극들을 포함하는,황화수소 센서
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제7항에 있어서,상기 복합체는상기 베이스 기판의 표면상에 배치된 뿌리부 및 상기 뿌리부보다 크기가 크고 상기 뿌리부와 연결된 헤드부를 포함하는 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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제7항에 있어서,상기 2개의 전극들 각각의 적어도 일부는상기 복합체가 관통하도록 상기 센싱층 상에 형성된 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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베이스 기판 상에 형성되고, 랜덤하게 배치된 로드 또는 트리 형태의 산화구리(Cu2O)-구리(Cu) 복합체를 포함하는 센싱층과, 상기 센싱층 상에 서로 이격되어 배치된 2개의 전극들을 포함하는 황화수소 센서를, 황화수소 분위기의 200 내지 300℃의 온도 조건에 노출시키는 단계를 포함하는,황화수소의 감지 방법
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제10항에 있어서,상기 노출시키는 단계에서, 상기 센싱층의 저항은 초기 저항에 비해서 낮아지는 것을 특징으로 하는,황화수소의 감지 방법
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제10항에 있어서,상기 노출시키는 단계에서, 상기 센싱층에 CuS 또는, Cu2S와 CuS가 생성되는 것을 특징으로 하는,황화수소의 감지 방법
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