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1
투명 전도성 산화물이 코팅되는 기지 상에, 실리콘 티타늄 옥사이드(Si1-xTixO2) (여기서, 0
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2
제1항에 있어서,
상기 실리콘 티타늄 옥사이드(Si1-xTixO2) (여기서, 0
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| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기지는 PES 또는 PC 또는 PET 또는 PEN을 포함하는 수지 필름이거나 유리인 것을 특징으로 하는 기판 제조방법
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| 4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 고주파 스퍼터링은 그 주파수가 13
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5
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 x는 0
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| 6 |
6
투명 전도성 산화물이 코팅되는 투명기지 상에, 실리콘 티타늄 옥사이드(Si1-xTixO2) (여기서, 0
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7
제6항에 있어서,
상기 제1단계는
상기 실리콘 티타늄 옥사이드(Si1-xTixO2) (여기서, 0
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8
제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 저주파 스퍼터링의 주파수는 50 내지 70 Hz이고,
상기 투명 전도성 산화물은 ITO인 것을 특징으로 하는 투명 전극용 기판 제조방법
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| 9 |
9
제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 투명기지는 PES 또는 PC 또는 PET 또는 PEN을 포함하는 수지 필름이거나 유리인 것을 특징으로 하는 투명 전극용 기판 제조방법
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| 10 |
10
제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 x는 0
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11
제1항 또는 제2항의 제조방법으로 제조되고,
투명 기지 및, 상기 기지의 일면에 결합하는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판
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12
제6항 또는 제7항의 제조방법으로 제조되고,
투명 기지, 상기 기지의 일면에 결합하는 버퍼층 및, 상기 버퍼층의 개방면에 결합하는 투명 전도성 산화물 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극용 기판
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| 13 |
13
제12항에 있어서,
상기 버퍼층은 두께가 100 내지 2000 ㎚이고,
상기 투명 전도성 산화물 층은 두께가 100 내지 300 ㎚인 것을 특징으로 하는 투명 전극용 기판
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14
투명 기지;
상기 투명 기지의 일면에 증착되어 결합하는 실리콘 티타늄 옥사이드(Si1-xTixO2) (여기서, 0
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| 15 |
15
투명 기지;
상기 투명 기지의 일면에 증착되어 결합하는 실리콘 티타늄 옥사이드(Si1-xTixO2) (여기서, 0
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16
제14항 또는 제15항의 투명 전극용 기판;
상기 투명 전극용 기판 상에 결합하는 유기 발광층; 및,
상기 유기 발광층 상에 결합하는 전극층
을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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