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P형 CuInO2 투명전도 박막을 pulsed laser deposition 공정및 스퍼터링 방법으로 증착시 필요한 Cu2O-In2O3 타겟제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161778
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 pulsed laser deposition(PLD) 공정 및 스퍼터링 방법으로 p형 CuInO2 투명전도 박막을 증착할 때 필요한 타겟 제조 방법에 관한 것으로서, 두 종류 이상의 양이온 원소로 이루어진 박막 조성을 증착하고자 할 경우 타겟의 조성을 박막의 조성과 모두 일치시키는 것이 아니라 양이온의 비율만 일치되도록 원료분말을 혼합 성형하여 소결하는 것을 특징으로 하는 Cu2O-In2O3 산화물 타겟 제조 방법에 관한 것이다.본 발명과 같이 p형 CuInO2 조성의 박막을 얻는데 있어서, 타겟 조성물내의 음이온(주로 산소이온) 함량과는 상관없이 Cu와 In의 비율만 1:1로 혼합된 Cu2O-In2O3 타겟을 제조함으로써 박막 조성과 동일한 CuInO2 타겟 제조시 발생하는 단일상합성 및 치밀화 문제점 등을 용이하게 해결할 수 있는 장점이 있다. 타겟 조성과 증착하고자 하는 박막 조성과의 음이온 함량 불일치는 박막 증착시 산소분압 및 기판온도조절 등 박막 증착 공정중의 공정변수 조절을 통하여 증착하고자하는 박막 조성을 얻음으로써 p형 CuInO2 투명전도 박막을 증착시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.CuInO2 타겟, 양이온 비율, p형 투명전도막, pulsed laser deposition, 스퍼터링
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) C01G 3/00 (2006.01)
CPC C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01)
출원번호/일자 1020070010540 (2007.01.30)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0071466 (2008.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정주 대한민국 대구광역시 남구
2 이준형 대한민국 대구 수성구
3 허영우 대한민국 대구 수성구
4 이종철 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 엄세영 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건철 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)(특허법인이룸리온)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-5011409-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0071915-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0028998-00
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0143223-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0210415-38
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0285179-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0285184-11
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0302842-47
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.08.01 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0034123-12
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0576990-42
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2008.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0469492-86
13 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2008.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0469493-21
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2008.10.14 수리 (Accepted) 7-8-2008-0034430-32
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Pulsed laser deposition 공정 및 스퍼터링 방법으로 p형 산화물 투명전도체 CuInO2 박막을 제조하기 위한 타켓에 있어서, Cu2O상과 In2O3상이 혼합상으로 구성된 것을 특징으로 하는 Cu2O-In2O3 타겟
2 2
제1항에 있어서, 상기 Cu2O상과 상기 In2O3 상의 비율이 CuInO2 박막에서의 양이온 비율과 동일한 1:1인 것을 특징으로 하는 Cu2O-In2O3 타겟
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 경북대학 국가지정연구실 사업 n-type 및 p-type 산화물 투명전도체 소재개발 및 p-n접합응용연구