맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

수용성 기판을 이용하는 폐기 가능한 메모리 및 그 제작 방법(RAPIDLY DISPOSABLE MEMORY WITH WATER-SOLUBLE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017000892
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수용성 기판을 이용하는 메모리는 수용성 물질로 형성되는 기판; 상기 기판의 상부에 형성되는 하부 전극; 상기 하부 전극의 상부에 형성되는 상부 전극; 및 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 배치되어, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 전기적 통로가 생성 또는 소멸되는 절연막을 포함한다.
Int. CL
CPC H01L 23/06(2013.01)
출원번호/일자 1020150099661 (2015.07.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0008457 (2017.01.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.14)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 배학열 대한민국 대전광역시 유성구
3 이병현 대한민국 대전광역시 유성구
4 이동일 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0679341-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0020365-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0514101-72
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0900812-78
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0999944-83
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1112749-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1112750-42
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0223532-23
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0489074-37
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0489075-83
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0670903-21
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1001386-90
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1001385-44
15 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0831130-22
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수용성 기판을 이용하는 메모리에 있어서,수용성 물질로 형성되는 기판; 상기 기판의 상부에 형성되는 하부 전극; 상기 하부 전극의 상부에 형성되는 상부 전극; 및 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 배치되어, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 전기적 통로가 생성 또는 소멸됨으로써, 상기 메모리에서 두 가지 상태 변화를 갖는 저항층으로 사용되는 절연막을 포함하고, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 미리 설정된 전도도를 갖도록 액상 금속 물질을 기반으로 인쇄 공정을 이용하여 형성되며, 상기 기판을 형성하는 수용성 물질은 상기 기판이 상온과 동일한 온도를 갖는 물 또는 체온과 동일한 온도를 갖는 물에서 30초 이내에 용해되도록 고체 소듐/글리세린(sodium/glycerin) 혼합물을 포함하는 메모리
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 절연막은 상기 하부 전극 상부에 미리 설정된 나노 두께를 갖도록 증착 공정을 이용하여 금속 산화 물질 또는 고분자 물질 중 적어도 어느 하나로 형성되는, 메모리
6 6
제1항에 있어서상기 메모리는 퓨즈/안티-퓨즈(Fuse/Anti-Fuse) 방식의 필라멘트 메커니즘 또는 이온 확산(ionic diffusion), 전자 확산(electronic diffusion) 방식의 메커니즘에 따라 동작하는 RRAM(resistive switching random access memory)인, 메모리
7 7
제6항에 있어서상기 메모리는 HRS(High Resistance State)에서 상기 절연막의 통전 방식으로 쇼트키 배출(Schottky emission) 방식, 음극으로부터 전도대역(conduction band)으로의 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 터널링 방식, 직접 터널링(direct tunneling) 방식, 음극으로부터 트랩(trap)을 통한 터널링 방식, 트랩으로부터의 전도대역으로의 배출 방식, 풀-프랑켈(Poole-Frenkel) 배출 방식, 트랩으로부터 전도대역으로의 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 터널링 방식, 트랩에서 트랩으로의 터널링 방식, 트랩에서부터 양극으로의 터널링 방식 또는 공간전하제한전류(space charge limited current) 특성에 의한 전류-전압 방식 중 적어도 어느 하나를 이용하는, 메모리
8 8
제6항에 있어서상기 메모리는 LRS((Low Resistance State)에서 상기 절연막의 통전 방식으로 선형적인 전류-전압 관계 방식을 이용하는, 메모리
9 9
제 1항에 있어서,상기 메모리는 전압이 시간에 따라 변하는 교류(AC)를 이용하여 히스테리시스(hysteresis)현상을 유발하는 멤리스터(memristor)인, 메모리
10 10
수용성 기판을 이용하는 메모리 제작 방법에 있어서,수용성 물질로 기판을 형성하는 단계; 상기 기판의 상부에 미리 설정된 전도도를 갖도록 액상 금속 물질을 기반으로 인쇄 공정을 이용하여 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극의 상부에 절연막을 배치하는 단계; 및 상기 절연막의 상부에 상기 미리 설정된 전도도를 갖도록 상기 액상 금속 물질을 기반으로 상기 인쇄 공정을 이용하여 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연막은 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 전기적 통로가 생성 또는 소멸됨으로써, 상기 메모리에서 두 가지 상태 변화를 갖는 저항층으로 사용되며, 상기 기판을 형성하는 수용성 물질은 상기 기판이 상온과 동일한 온도를 갖는 물 또는 체온과 동일한 온도를 갖는 물에서 30초 이내에 용해되도록 고체 소듐/글리세린(sodium/glycerin) 혼합물을 포함하는, 메모리 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.