1 |
1
소스 전극, 드레인 전극, 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터; 외부침입이 센싱되면 외부침입 신호를 생성하는 보안 센서; 및상기 외부침입 신호의 생성 유무에 기초해, 상기 제1 게이트 전극 또는 상기 제2 게이트 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 트랜지스터의 채널의 물리적 상태를 변형시키는 컨트롤러;를 포함하고, 상기 컨트롤러는,상기 외부침입 신호가 생성되지 않은 경우, 상기 제1 게이트 전극에 포밍 전압을 인가함으로써, 상기 트랜지스터의 채널을 상기 제1 게이트 전극에 접착시키고,상기 외부침입 신호가 생성된 경우, 상기 제2 게이트 전극에 보안 전압을 인가함으로써, 상기 제1 게이트 전극에 접착되어 있던 상기 채널을 파괴하고,상기 트랜지스터의 채널과 상기 제1 게이트 전극의 사이, 및 상기 트랜지스터의 채널과 상기 제2 게이트 전극의 사이는, 소정 거리 이격된, 보안 장치
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 보안 센서는, 엑스레이 센서(X-ray sensor), 자이로 센서(gyro sensor), 진동 센서(vibration sensor), 충격 센서(shock sensor), 초음파 센서(ultrasonic sensor), 압전 센서(piezoelectric sensor), 주파수 센서(frequency sensor), 가속도 센서(acceleration sensor), 전자파 센서(electromagnetic wave sensor) 및 위치 센서(position sensor) 중 적어도 하나를 포함하는, 보안 장치
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 트랜지스터는, 전계효과 트랜지스터(Field-effect Transistor)인, 보안 장치
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 트랜지스터의 채널과 상기 제1 게이트 전극의 접합부위에 산화물(oxide), 유기물, 무기물 및 고분자 화합물 중 적어도 하나의 물질이 증착되는, 보안 장치
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 컨트롤러는, 상기 포밍 전압보다 더 큰 보안 전압을 인가하고, 상기 제1 게이트 전극에 접착되어 있던 상기 트랜지스터의 채널을, 상기 보안 전압에 의한 정전기력으로 파괴시키는, 보안 장치
|
7 |
7
소스 전극, 드레인 전극, 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터; 외부로부터 수신된 컨트롤 신호에 기초해, 상기 제1 게이트 전극 또는 상기 제2 게이트 전극에 전압을 인가함으로써, 상기 트랜지스터의 채널의 물리적 상태를 변형시키는 컨트롤러; 및사용자로부터 컨트롤 신호를 입력받는 입력부;를 포함하고, 상기 컨트롤러는,상기 컨트롤 신호가 수신되지 않은 경우, 상기 제1 게이트 전극에 포밍 전압을 인가함으로써, 상기 트랜지스터의 채널을 상기 제1 게이트 전극에 접착시키고,상기 컨트롤 신호가 수신된 경우, 상기 제2 게이트 전극에 상기 포밍 전압보다 더 큰 보안 전압을 인가함으로써, 상기 제1 게이트 전극에 접착되어 있던 상기 트랜지스터의 채널을 파괴하되, 상기 컨트롤러는 상기 입력부로부터 입력된 상기 컨트롤 신호에 기초하여, 상기 트랜지스터의 채널의 물리적 상태를 변형시키는, 보안 장치
|
8 |
8
삭제
|
9 |
9
제7항에 있어서,외부로부터 컨트롤 신호를 무선으로 수신하는 통신부;를 더 포함하고,상기 컨트롤러는, 상기 통신부로부터 무선 수신된 상기 컨트롤 신호에 기초하여, 상기 트랜지스터의 채널의 물리적 상태를 변형시키는, 보안 장치
|
10 |
10
소스 전극, 드레인 전극, 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터를 제공하는 단계;상기 제1 게이트 전극에 포밍 전압을 인가하여 상기 트랜지스터의 채널을 상기 제1 게이트 전극에 접착시키는 단계;외부로부터의 침입이 감지되면 외부침입 신호를 생성하는 단계; 및상기 생성된 외부침입 신호에 기초하여, 상기 제2 게이트 전극에 상기 포밍 전압보다 더 큰 보안 전압을 인가함으로써, 상기 트랜지스터의 채널을 물리적으로 파괴시키는 단계;를 포함하고, 상기 트랜지스터를 제공하는 단계는,식각 공정에 의하여, 상기 트랜지스터의 채널과 상기 제1 게이트 전극의 사이, 및 상기 트랜지스터의 채널과 상기 제2 게이트 전극의 사이가 소정 거리 이격된 트랜지스터를 제공하는, 보안 방법
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 외부침입 신호는, 보안 센서에 의해 생성된 신호, 사용자로부터 입력된 컨트롤 신호 및 외부로부터 수신된 컨트롤 신호 중 어느 하나인, 보안 방법
|
12 |
12
삭제
|