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전원 전압단과 메모리 셀 노드 사이에 배치되어 상기 메모리 셀 노드에 일정값의 기준 전류를 지속적으로 제공하여 상기 메모리 셀 노드에 연속 전위를 인가하는 기준 전류원; 상기 메모리 셀 노드에서 검출되는 노드 전위와 상기 메모리 셀 노드에 인가하는 기준 전위를 비교하여 상기 노드 전위를 상기 기준 전위에 수렴시키는 네거티브 피드백부;반도체소자의 문턱전압을 이용하여 상기 노드 전위를 검출하는 전위 검출부;상기 전위 검출부의 출력에 응답하여 상기 기준 전위를 조정하기 위한 기준치 제어 신호를 생성하는 기준치 제어부; 및상기 기준치 제어 신호에 응답하여 상기 기준 전위를 발생시키는 기준치 발생부를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 네거티브 피드백부는,상기 전원 전압단과 상기 메모리 셀 노드 사이에 배치되어 제1 스위치가 턴온되면 상기 메모리 셀 노드의 전위를 상승시키는 제1 전류원과, 상기 메모리 셀 노드와 접지 사이에 배치되어 제2 스위치가 턴온되면 상기 메모리 셀 노드의 전위를 하강시키는 제2 전류원을 포함하는 전위 조정 전류원;상기 기준 전위와 상기 노드 전위를 비교하여 제1 레벨 또는 제2 레벨 신호를 출력하는 비교기; 및외부에서 인가되는 클럭신호와 상기 비교기의 출력을 이용하여 상기 제1 및 제2 스위치를 스위칭하기 위한 제1 및 제2 스위칭 신호를 생성하는 스위칭 신호 제어기를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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제2항에 있어서, 상기 기준치 제어부는,상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교하여 상기 기준 전위를 소정 레벨만큼 상승시키는 동작을 소정 횟수 반복하는 써모미터 써치 동작을 수행하고,상기 써모미터 써치 동작이 완료되면, 상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교하여 직전 단계의 기준 전위의 절반에 해당하는 전압을 상승시키거나 하강시켜 현재 단계의 기준 전위로 설정하는 동작을 소정 횟수 반복하는 바이너리 써치 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
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제3항에 있어서, 상기 써모미터 써치 동작에서의 상기 소정 횟수는 셀 디스터번스에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
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제3항에 있어서, 상기 전위 검출부는 상기 노드 전위와 상기 기준 전위의 비교 전후에 반도체 소자의 문턱전압 특성을 이용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치
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제5항에 있어서, 상기 전위 검출부는,상기 제1 스위치 또는 제2 스위치가 턴온 되는 동안, 턴온 되어 상기 메모리 셀 노드에 흐르는 전류를 그라운드로 보내는 제4 스위치;상기 제4 스위치의 후단에 배치된 상기 반도체 소자; 및 상기 반도체 소자와 병렬연결되고, 상기 제1 스위치 또는 제2 스위치가 턴온 되는 동안, 턴온 되고, 상기 제1 스위치 또는 제2 스위치가 턴오프 되는 동안 턴오프되는 제3 스위칭 소자를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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제6항에 있어서, 상기 스위칭 신호 제어기는,외부로부터 입력되는 클럭신호와 상기 비교기의 출력을 이용하여 상기 제1 스위칭 신호를 발생하는 제1 스위치 제어기;상기 클럭신호와 상기 비교기의 반전출력을 이용하여 상기 제2 스위칭 신호를 발생하는 제2 스위치 제어기; 및전원전압신호와 상기 제1 스위칭 신호의 반전 신호를 이용하여 상기 제3 및 제4 스위치를 스위칭하기 위한 제3 및 제4 스위칭 신호를 발생하는 제3 스위치 제어기를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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제7항에 있어서, 상기 제3 스위치 제어기는,상기 제1 스위칭 신호의 반전 신호를 입력받아 반전시키는 인버터;상기 클럭신호와 상기 클럭신호의 반전 신호를 논리곱하는 앤드게이트; 및상기 전원전압신호를 D단자에 입력받고, 상기 인버터의 출력에 제어되고, 상기 앤드게이트의 출력에 리셋되어 출력 반전 단자로 상기 제4 스위칭 신호를 출력하는 플립플롭을 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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메모리 장치의 메모리 셀에 저장된 데이터값을 센싱하기 위한 방법에 있어서,상기 메모리 셀에 검출되는 노드 전위와 상기 메모리 셀에 인가하는 기준 전위를 비교하고, 상기 기준 전위를 소정 레벨만큼 상승시키는 동작을 소정 횟수 반복하는 써모미터 써치 동작을 수행하는 제1 단계; 및상기 써모미터 써치 동작을 수행하는 단계가 완료되면, 상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교하고, 직전 단계의 기준 전위의 절반에 해당하는 전압을 상승시키거나 하강시켜 현재 단계의 기준 전위로 설정하는 동작을 소정 횟수 반복하는 바이너리 써치 동작을 수행하는 제2 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 데이터 센싱 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 단계는,상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교한 후, 상기 노드 전위가 기준 전류원의 기준 전류에 의해 상기 메모리 셀에 인가되는 연속 전위보다 높으면 상기 기준 전위를 유지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리장치의 데이터 센싱 방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 단계는,상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교한 후, 상기 노드 전위가 상기 연속 전위보다 낮으면 상기 기준 전위를 소정 레벨만큼 상승시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리장치의 데이터 센싱 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교한 후, 상기 노드 전위가 기준 전류원의 기준 전류에 의해 상기 메모리 셀에 인가되는 연속 전위보다 높으면, 상기 이전 단계의 기준 전위의 절반에 해당하는 전압을 하강시켜 현재 단계의 기준 전위로 설정하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리장치의 데이터 센싱 방법
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제12항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 노드 전위와 상기 기준 전위를 비교한 후, 상기 노드 전위가 상기 연속 전위보다 낮으면, 상기 이전 단계의 기준 전위의 절반에 해당하는 전압을 상승시켜 현재 단계의 기준 전위로 설정하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리장치의 데이터 센싱 방법
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