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밴드 오프셋을 이용한 다중 비트 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법(MULTI BIT CAPACITORLESS DRAM USING BAND OFFSET TECHNOLOGY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)
- 기술번호 : KST2017010669
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명에 따른 다중 비트 커패시터리스 디램은 기판, 기판상에 형성된 소스 및 드레인, 기판상에 형성된 복수의 나노와이어 채널, 복수의 나노와이어 채널에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함하고, 복수의 나노와이어 채널 중 2개 이상의 나노와이어 채널은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 각각의 나노와이어 채널은, 실리콘층, 실리콘층을 둘러싸며 형성된 제1 에피택셜층 및 제1 에피택셜층을 둘러싸며 형성된 제2 에피택셜층을 포함한다. 이에 의하여, 다중 비트로 동작할 수 있는 고집적도의 다중 비트 커패시터리스 디램을 구현하되, 에너지 밴드갭을 이용하여 초과 정공의 축적 성능을 향상시킬 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/108 (2016.02.02) H01L 29/06 (2016.02.02) H01L 21/02 (2016.02.02) H01L 21/28 (2016.02.02) |
| CPC | H01L 27/10814(2013.01) H01L 27/10814(2013.01) H01L 27/10814(2013.01) H01L 27/10814(2013.01) H01L 27/10814(2013.01) H01L 27/10814(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020150182736 (2015.12.21) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2017-0073931 (2017.06.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.12.21) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 박준영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 이병현 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2015.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1250211-13 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.05.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0316449-90 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.06.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0631036-56 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0631037-02 |
| 5 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2017.11.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0795504-60 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.12.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1243667-23 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2017.12.13 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2017-1243665-32 |
| 8 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2017.12.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0905084-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판;상기 기판상에 형성된 소스 및 드레인;상기 기판상에 형성된 복수의 나노와이어 채널;상기 복수의 나노와이어 채널에 형성된 복수의 게이트 절연막; 및상기 복수의 게이트 절연막상에 형성된 게이트;를 포함하고,상기 복수의 나노와이어 채널 중 2개 이상의 나노와이어 채널은 서로 다른 문턱 전압을 가지며, 각각의 게이트 절연막은 각각의 나노와이어 채널을 둘러싸며 형성되고,하나의 게이트 절연막에 둘러싸여 형성된 하나의 나노와이어 채널은,실리콘층;상기 실리콘층을 둘러싸며 형성된 제1 에피택셜층; 및상기 제1 에피택셜층을 둘러싸며 형성된 제2 에피택셜층;을 포함하되,상기 제1 에피택셜층의 에너지 밴드갭(Energy band gap)은 상기 실리콘층 및 상기 제2 에피택셜층 각각의 에너지 밴드갭보다 작은, 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 제1 에피택셜층은 에피택시로 성장한 Si1-xGex층인 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 제1 에피택셜층은 에피택시로 성장한 Si1-xCx층인 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 에피택시로 성장한 실리콘층인 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 5 |
5 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 2개 이상의 나노와이어 채널은, 도핑 이온의 종류, 깊이, 농도 및 각도 중 적어도 하나를 달리함으로써 서로 다른 문턱 전압을 가지는 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 6 |
6 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 2개 이상의 나노와이어 채널은, 단면의 형상 또는 면적을 달리함으로써 서로 다른 문턱 전압을 가지는 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 7 |
7 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 2개 이상의 나노와이어 채널은, 식각 물질의 종류, 식각 물질의 농도, 식각 시간, 진공도 및 식각 온도 중 적어도 하나를 달리하여 식각됨으로써, 서로 상이한 단면 형상 또는 면적을 가지는 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 8 |
8 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다중 비트 커패시터리스 디램의 동작을 제어하는 컨트롤러; 및상기 복수의 나노와이어 채널의 문턱 전압에 기초한, 상기 복수의 나노와이어 채널 각각에 대한 구동 전압을 저장하는 저장부;를 더 포함하고,상기 컨트롤러는, 상기 게이트 및 상기 드레인 중 적어도 하나에 인가되는 구동 전압을 컨트롤함으로써, 2비트 이상의 데이터를 프로그램(program)시키거나 이레이즈(erase)시키는 다중 비트 커패시터리스 디램 |
| 9 |
9 (a) 기판에 하드마스크를 증착하는 단계;(b) 상기 하드마스크의 적어도 일부를 식각하는 단계;(c) 이방성 식각을 통하여 상기 기판에 나노와이어를 패터닝하는 단계;(d) 상기 기판에 보호막을 형성하는 단계;(e) 등방성 식각을 통하여 상기 기판에 나노와이어 채널을 형성하는 단계;(f) 상기 (c)단계 내지 (e)단계를 반복하여, 복수의 나노와이어 채널 및 상기 복수의 나노와이어 채널 각각을 둘러싼 복수의 게이트 절연막 각각을 형성하는 단계;(g) 소스, 드레인 및 게이트를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (f)단계는, 상기 복수의 나노와이어 채널이 각각 상이한 문턱 전압을 갖도록 처리하고, 하나의 게이트 절연막에 둘러싸여 형성된 하나의 나노와이어 채널에 실리콘층, 상기 실리콘층을 둘러싼 제1 에피택셜층 및 상기 제1 에피택셜층을 둘러싼 제2 에피택셜층을 형성시키되, 상기 제1 에피택셜층의 에너지 밴드갭은 상기 실리콘층 및 상기 제2 에피택셜층 각각의 에너지 밴드갭보다 작은, 다중 비트 커패시터리스 디램의 제조 방법 |
| 10 |
10 제9항에 있어서,상기 제1 에피택셜층은 상기 나노와이어 채널을 둘러싸며 에피택시로 성장되는 Si1-xGex층인 다중 비트 커패시터리스 디램의 제조 방법 |
| 11 |
11 제9항에 있어서,상기 제1 에피택셜층은 상기 나노와이어 채널을 둘러싸며 에피택시로 성장되는 Si1-xCx층인 다중 비트 커패시터리스 디램의 제조 방법 |
| 12 |
12 제9항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 상기 제1 에피택셜층을 둘러싸며 에피택시로 성장되는 실리콘층인 다중 비트 커패시터리스 디램의 제조 방법 |
| 13 |
13 제9항에 있어서,상기 (f)단계는,각각의 나노와이어 채널을 형성시킬 때마다, 도핑 이온의 종류, 깊이, 농도 및 주입 각도 중 적어도 하나를 달리하여 도펀트를 주입함으로써, 상기 복수의 나노와이어 채널 각각이 상이한 문턱 전압을 갖도록 처리하는 다중 비트 커패시터리스 디램의 제조 방법 |
| 14 |
14 제9항에 있어서,상기 (f)단계는,각각의 나노와이어 채널을 형성시킬 때마다, 식각 물질의 종류, 식각 물질의 농도, 식각 시간, 진공도 및 식각 온도 중 적어도 하나를 달리함으로써, 상기 복수의 나노와이어 채널 각각이 상이한 문턱 전압을 갖도록 처리하는 다중 비트 커패시터리스 디램의 제조 방법 |
| 15 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR101835612 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | US09728539 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20170162579 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2015.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1250211-13 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2017.05.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0316449-90 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.06.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0631036-56 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0631037-02 |
| 5 | 거절결정서 | 2017.11.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0795504-60 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.12.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1243667-23 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2017.12.13 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2017-1243665-32 |
| 8 | 등록결정서 | 2017.12.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0905084-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345244339 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 21A20131612251 |
| 연구과제명 | 미래전자통신 인재양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2015 |
| 연구기간 | 201309~202008 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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