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접촉 스프링을 포함하는 스위치 구조체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019011032
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스위치 구조체는 제1 전극을 향하여 둥근 형상으로 볼록하게 돌출 형성되며 외력에 의해 탄성적으로 변형 가능하고 전도성 재질로 이루어지는 접촉 스프링을 구비하는 스위치 몸체를 포함하며, 상기 접촉 스프링은 상기 스위치 몸체의 이동 또는 변형에 의해 상기 제1 전극과 접촉되거나 이격되도록 이동 가능하며, 상기 접촉 스프링이 상기 제1 전극과 접촉함으로써, 상기 제1 전극은 제2 전극과 서로 전기적으로 연결된다.
Int. CL H01H 59/00 (2006.01.01)
CPC H01H 59/0009(2013.01) H01H 59/0009(2013.01) H01H 59/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020160049028 (2016.04.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1776661-0000 (2017.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조일주 대한민국 서울특별시 성북구
2 이병철 대한민국 서울특별시 성북구
3 채의규 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0386681-69
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0128281-17
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0388145-90
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0388144-44
5 등록결정서
Decision to grant
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0603512-23
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 연결시키거나 차단시키는 스위치 구조체로서,상기 기판을 향하여 둥근 형상으로 볼록하게 돌출 형성되고, 내측에 중공을 가지는 반원통형 형상으로 형성된 접촉 스프링을 구비하며, 상기 접촉 스프링이 상기 기판에 접근하거나 상기 기판으로부터 이격될 수 있도록 이동 또는 변형 가능하게 상기 기판에 결합되는 스위치 몸체를 포함하고,상기 접촉 스프링은 외력에 의해 탄성적으로 변형 가능하며, 전도성 재질로 이루어지고,상기 접촉 스프링은 상기 스위치 몸체의 이동 또는 변형에 의해 상기 제1 전극과 접촉되거나 이격되도록 이동 가능하며,상기 접촉 스프링이 상기 제1 전극과 접촉함으로써, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극과 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
2 2
제1 항에 있어서,상기 접촉 스프링은 상기 제1 전극과 접촉 시 탄성적으로 변형되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
3 3
제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 접촉 스프링과 상이한 위치의 상기 스위치 몸체와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
4 4
제3 항에 있어서,상기 제2 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 제2 전극 상에 고정되는 연결부를 더 포함하며,상기 스위치 몸체는 상기 연결부에 대해 휨 변형이 가능한 외팔보 형태로 상기 연결부로부터 연장 형성되고,상기 접촉 스프링은 상기 스위치 몸체의 자유단에 위치하며,상기 연결부와 상기 접촉 스프링은 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
5 5
제1 항에 있어서,상기 접촉 스프링은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 동시에 접촉 및 분리 가능한 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
6 6
제5 항에 있어서,상기 스위치 몸체가 휨 변형이 가능하게 외팔보 형태로 연장 형성되는 연결부를 더 포함하고,상기 접촉 스프링은 상기 스위치 몸체의 자유단에 위치하며,상기 연결부와 상기 접촉 스프링은 상기 스위치 몸체에 구비된 절연부에 의해 서로 전기적으로 차단되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
7 7
삭제
8 8
제1 항에 있어서,상기 스위치 몸체는, 전도성 재질로 이루어지며, 상기 스위치 몸체와 인접하여 배치된 구동 전극으로부터 발생하는 인력 또는 척력에 의해 이동 또는 변형 가능한 것을 특징으로 하는 스위치 구조체
9 9
기판 상에 배치된 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 연결시키거나 차단시키는 스위치 구조체의 제조 방법으로서,상기 제1 전극 상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층 상에 에칭용 패턴을 가지는 금속 마스크를 형성하는 단계;상기 에칭용 패턴의 하측에 위치하는 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하고, 상기 금속 마스크를 제거하는 단계;상기 희생층 상에 전도성 재료를 증착시켜, 상기 오목부에 의해 둥근 형상을 가지도록 하방으로 볼록하게 돌출되고, 내측에 중공을 가지는 반원통형 형상으로 형성되는 접촉 스프링을 포함하는 접극층을 형성하는 단계; 및상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하며,상기 접촉 스프링은 외력에 의해 탄성적으로 변형 가능하고, 상기 제1 전극과 접촉되거나 이격되도록 이동 가능하며,상기 접촉 스프링이 상기 제1 전극과 접촉함으로써, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 오목부는 등방성 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체 제조 방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 접극층의 다른 부분과 동일한 면을 이루도록, 상기 접촉 스프링 상측의 오목한 부분을 채우는 충진부를 형성하는 단계;상기 접극층과 상기 충진부 상에 전도성 재료를 증착시켜, 상기 접극층과 전기적으로 연결되는 전도층을 형성하는 단계; 및상기 충진부를 제거하는 단계를 더 포함하는 스위치 구조체 제조 방법
12 12
제9 항에 있어서,상기 희생층은 폴리이미드 재질로 이루어지며, 플라즈마 애싱에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체 제조 방법
13 13
제9 항에 있어서,상기 금속 마스크를 형성하기 전에, 상기 제1 전극과 동일 평면 상의 상기 제2 전극의 상측에 위치하는 상기 희생층의 일부를 제거하고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 희생층이 제거된 부분을 전도성 재료로 충진시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위치 구조체 제조 방법
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1 미래창조과학부 광운대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 IoT향 다중대역 RF MEMS 소자 원천기술 개발