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적어도 하나 이상의 수용홀과 상기 수용홀로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 연장홀에 의해 적어도 둘 이상으로 분할되는 베이스 기판;상기 수용홀의 내측면으로부터 이격공간이 형성되도록 상기 수용홀 내부에 실장되는 반도체 칩; 및상기 이격공간 및 상기 연장홀 내에 충진되고, 상기 베이스 기판의 하면을 커버하도록 연장되어 형성되는 충진부재를 포함하며,상기 베이스 기판과 상기 충진부재의 열팽창계수가 상호 상이하고,상기 충진부재는구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn) 또는 이들을 포함하는 합금 중 어느 하나로 이루어지는 반도체 패키지
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청구항 2에 있어서,상기 연장홀은상기 수용홀의 일측면으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제1 연장홀; 및상기 수용홀의 타측면으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제2 연장홀을 포함하는 반도체 패키지
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청구항 5에 있어서,상기 연장홀은상기 수용홀의 일측면으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제1 연장홀; 및상기 수용홀의 일측면에 대향하는 타측면으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제2 연장홀을 포함하는 반도체 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 베이스 기판은상기 수용홀의 일측면 중앙으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제1 연장홀과 상기 수용홀의 일측면에 대향하는 타측면 중앙으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제2 연장홀에 의해 분할되어, 'ㄷ'자로 형성되는 제1 기판; 및 상기 수용홀의 일측면 중앙으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제1 연장홀과 상기 수용홀의 일측면에 대향하는 타측면 중앙으로부터 외측방향으로 연장되어 형성되는 제2 연장홀에 의해 분할되어, 'ㄷ'자로 형성되는 제2 기판을 포함하는 반도체 패키지
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청구항 7에 있어서,상기 충진부재는상기 반도체 칩의 하면과 각 측면을 밀봉(encapsulation)하며, 상기 베이스 기판의 하면을 커버하도록 연장되어 형성되는 반도체 패키지
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청구항 8에 있어서,상기 충진부재는상기 반도체 칩의 하면과 각 측면을 밀봉하며, 상기 베이스 기판의 하면을 커버하는 접지부; 및상기 베이스 기판의 하면에 형성되며, 상기 접지부와 전기적으로 분리되는 적어도 하나 이상의 전극부를 포함하는 반도체 패키지
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청구항 9에 있어서,상기 전극부에 대응되는 상기 베이스 기판의 상면영역에, 상기 베이스 기판의 두께방향으로 관통하여 형성되는 적어도 하나 이상의 관통홀을 더 포함하는 반도체 패키지
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청구항 10에 있어서,상기 베이스 기판의 상면에 형성되며, 상기 반도체 칩의 전극패드와 상기 전극부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나 이상의 전극패턴을 더 포함하는 반도체 패키지
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청구항 11에 있어서,상기 전극부는상기 관통홀의 내부에 충진된 상기 충진부재를 통하여, 상기 전극패턴과 전기적으로 연결되는 반도체 패키지
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베이스 기판에 적어도 하나 이상의 수용홀과 상기 수용홀의 일측면으로부터 외측방향으로 연장되는 적어도 하나 이상의 연장홀을 형성하는 기판성형단계; 및상기 수용홀에 반도체 칩을 실장하는 반도체 칩 실장단계를 포함하고,상기 수용홀의 내측면과 상기 반도체 칩 사이의 이격공간 및 상기 연장홀에 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn) 또는 이들을 포함하는 합금 중 어느 하나로 이루어지는 충진부재를 충진하고, 상기 베이스 기판의 하면을 커버하도록 상기 충진부재를 연장하여 형성하는 충진부재 형성단계를 더 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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청구항 14에 있어서,상기 베이스 기판의 상면에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계;상기 절연층 상에, 상기 반도체 칩의 전극패드와 전기적으로 연결되는 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계; 및상기 연장홀의 외측 단부를 기준으로 상기 베이스 기판을 절단함으로써, 상기 베이스 기판을 복수의 베이스 기판으로 분할하는 절단단계를 더 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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청구항 14에 있어서,상기 기판성형단계는 상기 수용홀의 주변영역에 상기 베이스 기판의 일면을 두께방향으로 관통하는 적어도 하나 이상의 관통홀을 더 형성하고,상기 충진부재 형성단계는 상기 이격공간 및 상기 연장홀을 충진하면서 상기 관통홀을 더 충진하는 반도체 패키지 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 베이스 기판의 하면 일영역을 커버하도록 형성되는 접지부와 상기 접지부와 전기적으로 분리되며, 상기 관통홀과 전기적으로 연결되는 전극부를 형성하는 충진부재 분리단계;상기 베이스 기판의 상면에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계;상기 절연층 상에, 일단이 상기 반도체 칩의 전극패드와 연결되고, 타단이 상기 전극부와 연결되는 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계; 및상기 연장홀의 외측 단부를 기준으로 상기 베이스 기판을 절단함으로써, 상기 베이스 기판을 복수의 베이스 기판으로 분할하는 절단단계를 더 포함하는 반도체 패키지 제조방법
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