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CMOS 공정을 통하여 IC 칩 내에 집적되어 형성되고, 상기 IC 칩에 포함된 트랜지스터의 차동 신호선에 연결되는 제1 금속 선로; 및MEMS 공정을 통하여 MEMS 칩 내에 형성되고, 상기 제1 금속 선로의 상부에 이격된 상태에서 상기 제1 금속 선로와 자기적 결합되는 제2 금속 선로를 포함하며,상기 MEMS 칩은 상기 IC 칩의 상부에 적층되어 있는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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CMOS 공정을 통하여 제1 IC 칩 내에 집적되어 형성되고, 상기 제1 IC 칩에 포함된 트랜지스터의 차동 신호선에 연결되는 제1 금속 선로; 및IPD 공정을 통하여 제2 IC 칩 내에 형성되고, 상기 제1 금속 선로의 상부에 이격된 상태에서 상기 제1 금속 선로와 자기적 결합되는 제2 금속 선로를 포함하며,상기 제2 IC 칩은 상기 제1 IC 칩의 상부에 적층되어 있는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 금속 선로는, 상기 고주파 변압기의 1차측 회로이며, 상기 증폭기를 구성하는 구동 증폭단과 전력 증폭단 중 상기 전력 증폭단에 포함된 상기 트랜지스터의 출력측 차동 신호선에 연결되고,상기 제2 금속 선로는, 상기 고주파 변압기의 2차측 회로이며, 상기 1차측에 인가된 차동 신호를 단일 신호로 변환하는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제2 금속 선로는, 상기 고주파 변압기의 1차측 회로이며, 외부로부터 단일 신호가 입력되고,상기 제1 금속 선로는,상기 고주파 변압기의 2차측 회로이며, 상기 증폭기를 구성하는 구동 증폭단과 전력 증폭단 중 상기 구동 증폭단에 포함된 상기 트랜지스터의 입력측 차동 신호선에 연결되고, 상기 1차측에 인가된 단일 신호를 차동 신호로 변환하는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 금속 선로 및 상기 제2 금속 선로는 선로 폭이 상이한 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 금속 선로 및 상기 제2 금속 선로는 적어도 1회의 감은 수로 형성되고 상기 감은 수가 서로 상이한 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제2 금속 선로는,상기 제1 금속 선로와 상하 마주보도록 배치되되 서로 마주보지 않는 영역이 일부 존재하도록 선로의 폭 방향에 대해 상기 제1 금속 선로와 일부 어긋나도록 배치되어 있는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 금속 선로 상에 가상 접지 노드가 형성되며, 상기 가상 접지 노드에 외부의 직류 전압이 인가되는 고주파 변압기
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청구항 1에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 선로 간의 간격은, 상기 MEMS 칩 내에서 상기 제2 금속 선로의 하부에 형성되는 절연층의 두께에 의하여 결정되는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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청구항 2에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 선로 간의 간격은, 상기 제2 IC 칩 내에서 상기 제2 금속 선로의 하부에 형성되는 절연층의 두께에 의해 결정되는 차동 증폭기를 위한 고주파 변압기
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