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베이스 기판;상기 베이스 기판의 상면 상에 배치된 액체 금속 도전성 패턴; 및상기 도전성 패턴의 측면과 맞닿고, 상기 도전성 패턴의 측면 상에 배치된 금속 산화물 입자를 포함하되,상기 금속 산화물 입자는 표면의 산화막에 의해 내부의 액체 금속이 캡슐레이션된 액체 금속-산화막 입자이고,상기 도전성 패턴과 상기 금속 산화물 입자는 서로 경계를 이루면서 분리되어 있는, 도전성 패턴 기판
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제1항에 있어서,상기 액체 금속 도전성 패턴의 조성과, 상기 금속 산화물 입자 내부의 액체 금속의 조성은 동일한, 도전성 패턴 기판
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제1항에 있어서,상기 도전성 패턴 상에 배치되고, 상기 베이스 기판, 상기 도전성 패턴 및 상기 금속 산화물 입자와 맞닿는 보호층을 더 포함하되,상기 베이스 기판의 상면은 평평한 상태이고,평면 시점에서, 서로 인접한 도전성 패턴 사이에는 상기 보호층이 위치하는 도전성 패턴 기판
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제1항에 있어서,상기 도전성 패턴은,제1 방향으로 연장된 제1 부분,상기 제1 부분으로부터 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 부분, 및상기 제2 부분으로부터 연장되고, 상기 제2 방향과 교차하는 방향으로 연장된 제3 부분을 포함하되,상기 베이스 기판의 상면은 상기 제1 부분과 상기 제3 부분의 사이의 이격 공간을 통해 적어도 부분적으로 노출되는 도전성 패턴 기판
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제1항에 있어서,상기 도전성 패턴은, 상호 이격되어 비도통 상태인 제1 도전성 패턴 및 제2 도전성 패턴을 포함하고,상기 제1 도전성 패턴은,제1 방향으로 연장된 제1 부분,상기 제1 부분으로부터 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 부분, 및상기 제2 부분으로부터 연장되고, 상기 제2 방향과 교차하는 방향으로 연장된 제3 부분을 포함하고,상기 제2 도전성 패턴은,상기 제1 방향으로 연장된 제1 부분,상기 제1 부분으로부터 연장되고, 상기 제2 방향으로 연장된 제2 부분, 및상기 제2 부분으로부터 연장되고, 상기 제2 방향과 교차하는 방향으로 연장된 제3 부분을 포함하는 도전성 패턴 기판
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제5항에 있어서,평면 시점에서, 상기 제1 도전성 패턴의 제1 부분은, 상기 제2 도전성 패턴의 제1 부분과 제3 부분 사이에 위치하고,평면 시점에서, 상기 제1 도전성 패턴의 제3 부분은, 상기 제1 도전성 패턴의 제1 부분과 상기 제2 도전성 패턴의 제3 부분 사이에 위치하고,상기 제1 도전성 패턴의 제1 부분과 상기 제1 도전성 패턴의 제3 부분 사이에는 액체 금속-산화막 입자가 충진되어 상기 베이스 기판을 커버하고,상기 베이스 기판의 상면은, 상기 제1 도전성 패턴의 제1 부분과 상기 제2 도전성 패턴의 제1 부분 사이의 이격 공간을 통해 노출되고,상기 베이스 기판의 상면은, 상기 제1 도전성 패턴의 제3 부분과 상기 제2 도전성 패턴의 제3 부분 사이의 이격 공간을 통해 노출되는 도전성 패턴 기판
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제6항에 있어서,상기 도전성 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 도전성 패턴과 상기 제2 도전성 패턴 사이의 이격 공간과 중첩하지 않도록 배치된 제1 보호층; 및상기 제1 보호층 상에 배치되고, 상기 제1 도전성 패턴 및 상기 제2 도전성 패턴 사이의 이격 공간과 중첩하며, 상기 제1 도전성 패턴, 상기 제2 도전성 패턴, 상기 베이스 기판 및 상기 제1 보호층과 맞닿아 배치되는 제2 보호층을 더 포함하는 도전성 패턴 기판
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베이스 기판 상에 금속 나노입자를 도포하는 단계;팁을 이용하여 도전성 패턴을 형성하는 단계로서, 상기 팁으로 상기 금속 나노입자를 부분적으로 가압하여 상기 금속 나노입자의 일부를 액체화시키고, 상기 액체화된 부분이 도전성을 갖는 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및액체화되지 않은 잔여 금속 나노입자를 제거하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 금속 나노입자는 표면의 산화막에 의해 내부의 액체 금속이 캡슐레이션된 액체금속-산화막 나노입자이고,상기 금속 나노입자의 평균 입도는 100nm 내지 300nm인 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 잔여 금속 나노입자를 제거하는 단계에서, 상기 베이스 기판의 표면은 적어도 부분적으로 노출되는 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 도전성 패턴을 형성하는 단계와 상기 잔여 금속 나노입자를 제거하는 단계 사이에,액체화되지 않은 잔여 금속 나노입자들 중 일부와 중첩하고, 액체화되지 않은 잔여 금속 나노입자들 중 나머지 일부와 중첩하지 않도록 배치되는 제1 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 잔여 금속 나노입자를 제거하는 단계에서, 상기 제1 보호층과 중첩하는 금속 나노입자는 제거되지 않고, 상기 제1 보호층과 중첩하지 않는 금속 나노입자는 제거되는, 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 잔여 금속 나노입자를 제거하는 단계 후에, 상기 도전성 패턴, 상기 베이스 기판 및 상기 제1 보호층과 맞닿는 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 패턴 기판의 제조 방법
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(a) 알코올 용액에 액체 금속 및 100nm 내지 400nm의 평균 입도를 갖는 금속 입자를 투입하는 단계; 및(b) 상기 알코올 용액, 상기 액체 금속 및 상기 금속 입자를 포함하는 혼합물혼합물을 초음파 처리하여, 표면에 산화막이 형성되어 액체 금속이 캡슐레이션된 액체 금속-산화막 입자를 형성하는 단계를 포함하되,상기 단계 (a) 및 상기 단계 (b)를 포함하는 방법을 통해 형성된 액체 금속-산화막 입자는, 100nm 내지 300nm의 크기를 갖는 액체 금속-산화막 입자를 포함하는, 액체 금속의 입자화 방법
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제13항에 있어서,상기 금속 입자는, 상기 액체 금속-산화막 입자의 입도 조절에 기여하는, 액체 금속의 입자화 방법
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