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피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로

  • 기술번호 : KST2021005098
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로에 관한 것으로, 이 장치는 전송 채널에 연결되어, 게이트 단자에 연결되는 채널 저항에 기반한 임피던스 매칭을 수행하는 트랜지스터; 및 임피던스 매칭이 요청되면, 구동 전압 또는 접지와 전송 채널의 전압차를 전압 분배하여 상기 트랜지스터의 게이트에 피드백시켜 상기 트랜지스터의 채널 저항을 조정하는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 피드백으로 상기 트랜지스터의 게이트 전압과 드레인 전압 간의 상관관계를 특정 계수비로 유지시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 송신용 트랜지스터의 게이트 전압을 피드백을 통해 조정하여, 드레인 전압의 증가 여부에 상관없이 반사 신호의 최대 크기는 키우지 않고 전력을 아낄 수 있다. 또한, 반사 신호의 최대 크기가 커지지 않으므로, 신호 무결성 측면에서 동일한 효과를 가져 올 수 있고, 데이터 값 변화동안 저항을 키워 전력 소모를 줄일 수 있다.
Int. CL G11C 7/10 (2021.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210049301 (2021.04.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0052402 (2021.05.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 분할
원출원번호/일자 10-2019-0135175 (2019.10.29)
관련 출원번호 1020190135175
심사청구여부/일자 Y (2021.04.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성환 대전광역시 유성구
2 정연욱 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2021.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0441593-36
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0328343-13
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번호 청구항
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전송 채널에 연결되어, 게이트 단자에 연결되는 채널 저항에 기반한 임피던스 매칭을 수행하는 트랜지스터; 및 임피던스 매칭이 요청되면, 구동 전압 또는 접지와 전송 채널의 전압차를 전압 분배하여 상기 트랜지스터의 게이트에 피드백시켜 상기 트랜지스터의 채널 저항을 조정하는 피드백 회로를 포함하고, 상기 피드백 회로는 상기 피드백으로 상기 트랜지스터의 게이트 전압과 드레인 전압 간의 상관관계를 특정 계수비로 유지시키는 것을 특징으로 하는 피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로
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제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 구동 전압과 전송 채널 사이에 연결되며, 게이트 전압이 문턱치 이하일 때 턴온되는 제1형의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로
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제2항에 있어서, 상기 피드백 회로는 구동 전압을 전압 분배하여 제1형의 트랜지스터의 게이트에 인가하는 제1 및 제2 저항;임피던스 매칭이 요청되면, 상기 제1 및 제2 저항에 구동 전압을 연결시키는 제1 스위치; 및 임피던스 매칭이 요청되면, 상기 제1 및 제2 저항에 전송 채널을 연결시키는 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 접지와 전송 채널 사이에 연결되며, 게이트 전압이 문턱치 이상일 때 턴온되는 제2형의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 피드백 회로는 전송 채널의 전압을 전압 분배하여 제2형의 트랜지스터의 게이트에 인가하는 제4 및 제5 저항;임피던스 매칭이 요청되면, 상기 제4 및 제5 저항에 상기 전송 채널을 연결시키는 제4 스위치; 및 임피던스 매칭이 요청되면, 상기 제4 및 제5 저항에 상기 접지를 연결시키는 제5 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 피드백 기반의 온 다이 터미네이션 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 (EZBARO)유연 열전 반도체 소자기술 센터(2019)(조병진)