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상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로;상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전기적으로 선택적으로 연결되는 메모리 셀; 및상기 메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하는 셀 전류 복제부;상기 셀 전류 복제부를 흐르는 셀복제전류와 비교복제전류를 비교하는 비교수단;상기 비교수단으로부터 출력되는 비교신호를 변환하여 출력하는 데이터 출력부;상기 데이터 출력부로부터 출력되는 비교신호를 이용하여 비교전류를 출력하는 비교전류출력부; 및상기 비교전류를 복제하여 상기 비교복제전류를 출력하는 비교전류 복제부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 셀 전류 복제부는, 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전류 미러 타입으로 결합되는 멀티 레벨 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로는,상기 셀 전류의 제1 범위를 통과시킬 수 있는 제1 전류 구동부; 및상기 셀 전류의 제1 범위를 벗어난 제2 범위를 통과시킬 수 있는 제2 전류 구동부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제3항에 있어서,상기 셀 전류 복제부는 상기 제1 전류 구동부와 동일한 크기의 전류를 통과시킬 수 있는 멀티 레벨 메모리 장치
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 비교수단은,상기 셀복제전류와 상기 비교복제전류를 이용하여 상기 셀복제전류가 흐르는 경로 상의 제1 노드와 상기 비교복제전류가 흐르는 경로 상의 제2 노드 사이의 전위차를 증폭시키는 제1 비교부; 및상기 제1 노드 및 상기 제2 노드를 입력으로 하여 비교하는 제2 비교부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제6항에 있어서, 상기 제1 비교부는,상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결되고, 리셋신호에 제어되어 상기 제1 및 제2 노드의 전위를 일치시키는 리셋부; 및상기 제1 노드와 제2 노드 사이의 전위차를 포지티브 피드백 방식으로 증폭시키는 포지티브 피드백부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제7항에 있어서, 상기 포지티브 피드백부는,상기 제1 노드와 접지 사이에 연결되고, 상기 제2 노드의 전압에 제어되는 제1 스위칭 소자; 및상기 제2 노드와 접지 사이에 연결되고, 상기 제1 노드의 전압에 제어되는 제2 스위칭 소자를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 데이터 출력부는,상기 비교수단으로부터 출력되는 비교신호를 임시 저장하는 저장부; 및상기 저장부로부터 출력되는 디지털 비교신호를 아날로그 비교신호로 출력하는 변환부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제9항에 있어서,상기 저장부는 N 비트의 레지스터인 멀티 레벨 메모리 장치
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제10항에 있어서, 상기 변환부는 (N-1)비트의 디지털/아날로그 컨버터인 멀티 레벨 메모리 장치
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제11항에 있어서,상기 변환부는 상기 메모리 셀의 데이터 값에 따른 전류 변화 특성에 대응하도록 구성되는 멀티 레벨 메모리 장치
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제11항에 있어서,상기 변환부의 출력은 지수함수적으로 증감할 수 있는 멀티 레벨 메모리 장치
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제11항에 있어서,상기 변환부의 출력은 선형적으로 증감할 수 있는 멀티 레벨 메모리 장치
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제11항에 있어서, 상기 변환부는,상기 저장부의 출력을 디코딩하는 디코더; 및상기 디코더의 출력에 따라 제어되는 병렬연결된 복수의 단위 전류 셀을 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하는 셀 전류 복제부;상기 셀 전류 복제부를 흐르는 셀복제전류와 비교복제전류를 비교하는 비교수단;상기 비교수단으로부터 출력되는 비교신호를 변환하여 출력하는 데이터 출력부;상기 데이터 출력부로부터 출력되는 비교신호를 이용하여 비교전류를 출력하는 비교전류출력부; 및상기 비교전류를 복제하여 상기 비교복제전류를 출력하는 비교전류 복제부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제16항에 있어서, 상기 비교수단은,상기 셀복제전류와 상기 비교복제전류를 이용하여 상기 셀복제전류가 흐르는 경로 상의 제1 노드와 상기 비교복제전류가 흐르는 경로 상의 제2 노드 사이의 전위차를 증폭시키는 제1 비교부; 및상기 제1 노드 및 상기 제2 노드를 입력으로 하여 비교하는 제2 비교부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제17항에 있어서, 상기 제1 비교부는,상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결되고, 리셋신호에 제어되어 상기 제1 및 제2 노드의 전위를 일치시키는 리셋부; 및상기 제1 노드와 제2 노드 사이의 전위차를 포지티브 피드백 방식으로 증폭시키는 포지티브 피드백부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제18항에 있어서, 상기 포지티브 피드백부는,상기 제1 노드와 접지 사이에 연결되고, 상기 제2 노드의 전압에 제어되는 제1 스위칭 소자; 및상기 제2 노드와 접지 사이에 연결되고, 상기 제1 노드의 전압에 제어되는 제2 스위칭 소자를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제16항에 있어서, 상기 데이터 출력부는,상기 비교수단으로부터 출력되는 비교신호를 임시 저장하는 저장부; 및상기 저장부로부터 출력되는 디지털 비교신호를 아날로그 비교신호로 출력하는 변환부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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제20항에 있어서,상기 저장부는 N 비트의 레지스터인 멀티 레벨 메모리 장치
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제21항에 있어서, 상기 변환부는 (N-1)비트의 디지털/아날로그 컨버터인 멀티 레벨 메모리 장치
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제22항에 있어서,상기 변환부는 상기 메모리 셀의 데이터 값에 따른 전류 변화 특성에 대응하도록 구성되는 멀티 레벨 메모리 장치
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제22항에 있어서,상기 변환부의 출력은 지수함수적으로 증감할 수 있는 멀티 레벨 메모리 장치
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제22항에 있어서,상기 변환부의 출력은 선형적으로 증감할 수 있는 멀티 레벨 메모리 장치
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제22항에 있어서, 상기 변환부는,상기 저장부의 출력을 디코딩하는 디코더; 및상기 디코더의 출력에 따라 제어되는 병렬연결된 복수의 단위 전류 셀을 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
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상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로 중 어느 하나를 선택하여 상기 전류 경로와 연결된 메모리 셀로 셀전류를 흘리는 단계;상기 셀전류를 비교하기 위한 비교전류를 소정값으로 설정하는 단계;상기 셀전류가 상기 소정값보다 크면, 상기 셀전류와 동일 크기로 복제하는 단계; 및상기 셀전류가 상기 소정값보다 작으면, 상기 셀전류를 소정 배수 증폭하여 복제하는 단계를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치의 데이터 센싱 방법
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제27항에 있어서,상기 셀전류를 복제하여 셀복제전류를 출력하는 단계;상기 비교전류를 복제하여 비교복제전류를 출력하는 단계;상기 셀복제전류와 상기 비교복제전류를 비교하여 비교신호를 출력하는 단계; 및상기 비교신호를 임시 저장하고 디지털적으로 출력하는 단계를 더 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치의 데이터 센싱 방법
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제28항에 있어서,상기 비교복제전류는 상기 메모리 셀의 데이터 값에 따른 전류 변화 특성에 대응하는 멀티 레벨 메모리 장치의 데이터 센싱 방법
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