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반도체 메모리용 구동장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015115850
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PRAM, ReRAM의 메모리 셀 등과 같이 반도체 메모리에 전류 구동 방식으로 데이터를 기입하는 구동장치 및 방법에 있어서, 보다 향상된 쓰기 속도를 구현할 수 있는 새로운 방식의 반도체 메모리용 구동장치 및 방법을 제공한다.본원의 제1 발명에 따른 반도체 메모리용 구동장치는, 메모리 셀 어드레스와 상기 메모리 셀 어드레스의 버킷 충전전류 데이터를 매칭시켜 저장하는 저장부; 상기 메모리 셀 어드레스와 목표 충전전류 데이터를 인가받고, 상기 저장부를 참조하여 상기 버킷 충전전류 데이터에 대응하는 버킷 충전전류 선택신호와 상기 목표 충전전류 데이터에 대응하는 목표 충전전류 선택신호를 출력하는 선택 제어부; 및 상기 버킷 충전전류 선택신호 및 목표 충전전류 선택신호에 응답하여 버킷 충전전류 및 목표 충전전류를 공급하는 전류공급부를 포함한다.
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) G11C 7/22 (2006.01) G11C 7/20 (2006.01)
CPC G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01)
출원번호/일자 1020120073758 (2012.07.06)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0006543 (2014.01.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규형 대한민국 대전 유성구
2 최석환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0541410-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0425435-38
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0340072-23
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0646376-49
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0646375-04
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0791855-11
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1161240-86
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1161249-96
15 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0890895-82
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 셀 어드레스와 상기 메모리 셀 어드레스의 버킷 충전전류 데이터를 매칭시켜 저장하는 저장부;상기 메모리 셀 어드레스와 목표 충전전류 데이터를 인가받고, 상기 저장부를 참조하여 상기 버킷 충전전류 데이터에 대응하는 버킷 충전전류 선택신호와 상기 목표 충전전류 데이터에 대응하는 목표 충전전류 선택신호를 출력하는 선택 제어부; 및상기 버킷 충전전류 선택신호 및 목표 충전전류 선택신호에 응답하여 버킷 충전전류 및 목표 충전전류를 공급하는 전류공급부를 포함하고,상기 전류공급부는,상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 상이한 커패시턴스값을 제공할 수 있는 차지 버킷;인가되는 전원전압과 접지 사이에 연결되어 소정의 전류를 인가하는 전류원을 포함하는 바이어스부;상기 차지 버킷의 출력전압과 상기 바이어스부의 출력전압을 결합한 전압에 제어되어 네거티브 피드백 전압을 출력하는 네거티브 피드백부;상기 네거티브 피드백 전압과 상기 목표 충전전류 선택신호를 이용하여 복제전류를 출력하는 전류 미러부; 및상기 복제 전류를 상기 메모리 셀에 인가한 후 상기 전류 미러부를 리셋시키기 위한 리셋전압을 생성하는 리셋전압생성부를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
2 2
제1항에 있어서,상기 저장부에 저장되는 버킷 충전전류 데이터를 메모리 셀 어드레스 별로 설정하기 위한 버킷 충전전류 설정부를 더 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 버킷 충전전류 설정부는,상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 대응하는 테스트 메모리 셀을 이용하여 상기 메모리 셀 내 기생 성분 값을 샘플링하는 샘플링부; 및샘플링된 상기 메모리 셀의 기생 성분 값에 기반하여 상기 버킷 충전전류를 에러 허용 범위 내로 조정하는 에러 조정부를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
4 4
제3항에 있어서,상기 테스트 메모리 셀은 대응하는 상기 메모리 셀과 동일하거나 근사한 기생 저항 또는 기생 커패시턴스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
5 5
제4항에 있어서,상기 에러 조정부는 상기 버킷 충전전류 및 목표 충전전류의 합에 의한 상기 테스트 메모리 셀의 프리차지 전압과 상기 목표 충전전류에 의한 상기 테스트 메모리 셀의 정상상태 전압을 비교하여 상기 기생 성분 값을 검출하는 반도체 메모리용 구동장치
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 차지 버킷은,상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 선택적으로 스위칭 가능한 병렬연결된 복수의 커패시터;상기 복수의 커패시터와 접지 사이에 연결되어 선택된 복수의 커패시터를 리셋시키기 위한 리셋 스위치; 및상기 복수의 커패시터와 접지 사이에 연결되어 선택된 복수의 커패시터를 방전시키기 위한 버킷전류용 스위치를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 전류 미러부는,상기 네거티브 피드백 전압을 이용하여 인가되는 전원전압을 제어하는 전원전압제어부;상기 전원전압제어부와 상기 네거티브 피드백부 사이에 결합되어 기준전류를 통과시키는 기준전류제공부; 및상기 목표 충전전류 선택신호를 이용하여 제어된 상기 전원전압과 상기 메모리 셀 사이에 병렬연결된 복수의 전류복제용 스위칭소자를 선택적으로 스위칭하여 증폭된 복제 전류를 출력하는 복제전류 생성부를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 리셋전압생성부는,방전스위치를 포함하여 상기 전류복제용 스위칭소자의 제어단자전압을 제1 소정 레벨로 방전하는 방전부; 및충전스위치를 포함하여 상기 전류복제용 스위칭소자의 제어단자전압을 제2 소정 레벨로 충전하는 충전부를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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메모리 셀 어드레스에 공급할 버킷 충전전류 값을 저장하는 저장부;외부로부터 인가되는 상기 메모리 셀 어드레스와 목표 충전전류 값에 기반하여 상기 저장부에 저장된 상기 버킷 충전전류 값을 읽어들이고, 상기 버킷 충전전류 값에 대응하는 버킷 충전전류 선택신호와 상기 목표 충전전류 값에 대응하는 목표 충전전류 선택신호를 출력하는 선택 제어부; 및상기 버킷 충전전류 선택신호 및 목표 충전전류 선택신호에 응답하여 버킷 충전전류 및 목표 충전전류를 전류 미러를 이용하여 공급하는 전류공급부를 포함하고,상기 전류공급부는,상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 병렬연결된 복수의 커패시터 중 적어도 일부를 스위칭하여 출력하는 차지 버킷;인가되는 전원전압과 접지 사이에 연결되어 소정의 전류를 인가하는 전류원을 포함하는 바이어스부;상기 차지 버킷의 출력전압과 상기 바이어스부의 출력전압을 결합한 전압에 제어되어 네거티브 피드백 전압을 출력하는 네거티브 피드백부;상기 네거티브 피드백 전압과 상기 목표 충전전류 선택신호를 이용하여 복제전류를 출력하는 전류 미러부; 및상기 복제 전류를 상기 메모리 셀에 인가한 후 상기 전류 미러부를 리셋시키기 위한 리셋전압을 생성하는 리셋전압생성부를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
20 20
제19항에 있어서, 상기 전류 미러부는,상기 네거티브 피드백 전압을 이용하여 인가되는 전원전압을 제어하는 전원전압제어부;상기 전원전압제어부와 상기 네거티브 피드백부 사이에 결합되어 기준전류를 통과시키는 기준전류제공부; 및상기 목표 충전전류 선택신호를 이용하여 제어된 상기 전원전압과 상기 메모리 셀 사이에 병렬연결된 복수의 전류복제용 스위칭소자를 선택적으로 스위칭하여 증폭된 복제 전류를 출력하는 복제전류 생성부를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
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