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반도체 메모리용 구동장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015115820
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복수개의 메모리 셀로 구성된 저항성 메모리에 쓰기를 하는 저항성 메모리용 쓰기 구동장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 저항성 메모리용 쓰기 구동장치는 각 메모리 셀에 대하여 데이터 쓰기를 위한 목표 충전전류(ITARGET) 및 프리 차지(pre-charge)를 위한 버킷 충전전류(IBUCKET)를 선택하는 선택제어부; 상기 선택제어부에 의해 선택된 전류를 각 메모리 셀에 공급하는 전류 공급부; 및 상기 버킷 충전전류를 조정하는 버킷 충전전류 조정부를 포함한다.본 발명에 따르면, 저항성 메모리에 전류 구동 방식으로 데이터를 기입하면서 보다 향상된 쓰기 속도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) G11C 8/04 (2006.01)
CPC G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01) G11C 7/1078(2013.01)
출원번호/일자 1020120052057 (2012.05.16)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0128190 (2013.11.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규형 대한민국 대전 유성구
2 최석환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0392301-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0425433-47
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0340067-05
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0656875-00
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0656874-54
12 등록결정서
Decision to grant
2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0810256-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력되는 메모리 셀 어드레스와 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 인가할 목표 충전전류 값 및 버킷 충전전류 값에 응답하여 목표 충전전류 선택신호와 버킷 충전전류 선택신호를 출력하는 선택제어부;상기 목표 충전전류 선택신호에 응답하여 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 목표 충전전류를 제공하는 전류 공급부; 상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀을 프리차지하기 위해 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 버킷 충전전류를 제공하는 버킷 충전전류 공급부;상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀 내 기생 성분 값에 따라 상기 버킷 충전전류 값을 조정하여 상기 선택제어부에 제공하는 버킷 충전전류 조정부;상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀 내 기생 성분 값을 샘플링하여 상기 버킷 충전전류 조정부에 전달하는 샘플링부; 및상기 버킷 충전전류 조정부에 의해 조정된 버킷 충전전류 값을 메모리 셀 단위로 저장하고 상기 선택제어부에 전달하는 저장 유닛을 포함하고, 상기 샘플링부는 상기 전류 공급부 및 상기 버킷 충전전류 공급부에 연결되고, 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 대응하는 테스트 셀을 통해 상기 기생 성분 값을 샘플링하고,상기 테스트 셀은 대응하는 상기 메모리 셀과 동일하거나 근사한 기생 저항 또는 기생 커패시턴스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 메모리용 구동장치
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제1항에 있어서,상기 버킷 충전전류 조정부는 상기 버킷 충전전류에 의한 상기 테스트 셀의 프리차지시 전압과 상기 목표 충전전류에 의한 상기 테스트 셀의 데이터 쓰기시 전압을 비교하여 상기 기생 성분 값을 검출하는 반도체 메모리용 구동장치
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제1항에 있어서,상기 버킷 충전전류 공급부는 상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 복수의 커패시터 조합을 선택적으로 스위칭하여 상기 버킷 충전전류를 제공하는 반도체 메모리용 구동장치
8 8
삭제
9 9
입력되는 메모리 셀 어드레스와 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 인가할 목표 충전전류 값 및 버킷 충전전류 값에 응답하여 목표 충전전류 선택신호와 버킷 충전전류 선택신호를 출력하는 선택신호출력단계;상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀을 프리차지하기 위해 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 버킷 충전전류를 제공하는 버킷충전전류제공단계; 상기 목표 충전전류 선택신호에 응답하여 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 목표 충전전류를 제공하는 목표충전전류제공단계; 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀 내 기생 성분 값에 따라 상기 버킷 충전전류 값을 조정하는 버킷 충전전류 조정단계;상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀 내 기생 성분 값을 샘플링하는 단계;상기 버킷 충전전류 조정단계에 의해 조정된 버킷 충전전류 값을 메모리 셀 단위로 저장하는 저장단계를 포함하고, 상기 샘플링하는 단계는, 상기 메모리 셀 어드레스의 메모리 셀에 대응하는 테스트 셀을 통해 상기 기생 성분 값을 샘플링하고,상기 테스트 셀은 대응하는 상기 메모리 셀과 동일하거나 근사한 기생 저항 또는 기생 커패시턴스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 메모리용 구동방법
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제9항에 있어서,상기 버킷 충전전류 조정단계는 상기 버킷 충전전류에 의한 상기 테스트 셀의 프리차지시 전압과 상기 목표 충전전류에 의한 상기 테스트 셀의 데이터 쓰기시 전압을 비교하여 상기 기생 성분 값을 검출하는 반도체 메모리용 구동방법
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제9항에 있어서,상기 버킷 충전전류 제공단계는 상기 버킷 충전전류 선택신호에 응답하여 복수의 커패시터 조합을 선택적으로 스위칭하여 상기 버킷 충전전류를 제공하는 반도체 메모리용 구동방법
16 16
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3 US09443569 US 미국 FAMILY
4 US20130308396 US 미국 FAMILY
5 US20150092501 US 미국 FAMILY

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