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혼합모드 반도체 메모리

  • 기술번호 : KST2014044820
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디지털 정보와 아날로그 정보를 동시에 저장시킬 수 있는 혼합모드 반도체 메모리에 관한 것으로, 본 발명은 복수 개의 단일 포트 메모리로 이루어진 메모리 뱅크; 아날로그 신호 입력을 상기 메모리 뱅크의 메모리에 저장하기 위해 디지털 정보로 변환하는 아날로그/디지털 변환기; 상기 메모리 뱅크의 지정된 메모리 주소의 정보를 아날로그 신호 출력으로 내보내기 위해 해당 정보를 아날로그 신호로 변환하는 디지털/아날로그 변환기; 주소 및 디지털 정보를 전송하는 다중 포트 디지털 버스; 디지털 정보 및 아날로그 정보의 저장과 출력을 위해 상기 아날로그/디지털 변환기, 디지털/아날로그 변환기를 설정하고 상기 메모리 뱅크에 주소 신호를 공급하는 제어부를 포함하여 구성되어, 아날로그 및 디지털 정보를 동일한 주소에 저장할 수 있고, 아날로그 및 디지털 중 원하는 형식으로 저장된 정보를 출력할 수 있도록 된 것이다. 메모리 뱅크, 카피 엔진, 아날로그 정보, 디지털 정보, 동시저장
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G11C 8/00 (2006.01) G11C 8/16 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01)
CPC G11C 7/1006(2013.01) G11C 7/1006(2013.01) G11C 7/1006(2013.01) G11C 7/1006(2013.01) G11C 7/1006(2013.01)
출원번호/일자 1020040118123 (2004.12.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0736224-0000 (2007.06.29)
공개번호/일자 10-2006-0078787 (2006.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20070706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성원 대한민국 부산광역시 수영구
2 이승윤 대한민국 서울특별시 동대문구
3 박규호 대한민국 충남 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-0631788-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2006-0007832-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0122463-00
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0310555-65
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0384540-48
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0473536-20
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0552094-27
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0626849-50
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0721619-17
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0787500-18
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0890974-29
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0960191-62
14 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0080820-10
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0173311-41
16 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0256557-34
17 의견서
Written Opinion
2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0256558-80
18 등록결정서
Decision to grant
2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0361372-72
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 메모리에 있어서, 복수 개의 단일 포트 메모리로 이루어진 메모리 뱅크; 아날로그 신호 입력을 상기 메모리 뱅크의 메모리에 저장하기 위해 디지털 정보로 변환하는 아날로그/디지털 변환기; 상기 메모리 뱅크의 지정된 메모리 주소의 정보를 아날로그 신호 출력으로 내보내기 위해 해당 정보를 아날로그 신호로 변환하는 디지털/아날로그 변환기; 주소 및 디지털 정보를 전송하는 다수의 디지털 버스; 상기 다수의 디지털 버스가 서로 다른 메모리 뱅크를 동시에 접근할 수 있도록 연결하는 2차원 크로스바 스위치; 및 디지털 정보 및 아날로그 정보의 저장과 출력을 위해 상기 아날로그/디지털 변환기, 디지털/아날로그 변환기를 설정하고 상기 메모리 뱅크에 주소 신호를 공급하는 제어부를 포함하여 구성되어, 아날로그 및 디지털 정보를 동일한 주소에 저장할 수 있고, 아날로그 및 디지털 중 원하는 형식으로 저장된 정보를 출력할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 동일한 메모리 뱅크 또는 서로 다른 메모리 뱅크 사이에 저장된 데이터를 복사하는 카피 엔진을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제어부는 메모리 뱅크에 대하여 메모리 블록을 지정하고 저장 및 출력의 시작과 종료를 나타내는 정보를 제공하는 외부 인터페이스인 디지털 제어 신호에 따라 해당 동작을 수행토록 된 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 아날로그/디지털 변환기의 샘플링 속도 및 시간/해상도/입력 신호 범위, 상기 디지털/아날로그 변환기의 속도 및 동작 시간/해상도/출력 신호 범위 등을 결정하는 상기 디지털 제어 신호에 의해 상기 아날로그/디지털 변환기 및 디지털/아날로그 변환기를 제어토록 된 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 2차원 크로스바 스위치, 카피 엔진은 상기 제어부가 외부로부터 제공되는 디지털 제어 신호에 따라 그 동작을 제어토록 된 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제어부는 아날로그 신호 입력을 저장하는 샘플링 시간이 지나거나 아날로그 신호를 출력하는 동작 시간이 지나거나 카피 엔진의 동작이 종료되면 이 상태를 외부에 알리는 신호를 발생토록 된 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
8 7
제 6 항에 있어서, 상기 제어부는 아날로그 신호 입력을 저장하는 샘플링 시간이 지나거나 아날로그 신호를 출력하는 동작 시간이 지나거나 카피 엔진의 동작이 종료되면 이 상태를 외부에 알리는 신호를 발생토록 된 것을 특징으로 하는 혼합모드 반도체 메모리
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP18190439 JP 일본 FAMILY
2 US07315267 US 미국 FAMILY
3 US20060146201 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 FR2880981 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
2 FR2880981 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
3 JP2006190439 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2006146201 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7315267 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.