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소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 지연 클록으로서 출력하는 클록 지연부;상기 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및상기 소스 클록과 상기 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도의 변동을 검출하는 온도 검출부를 구비하며,상기 클록 발진부는, 제1 인에이블 모드에서 상기 지연 클록의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 상기 발진 클록을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 상기 지연 클록의 주파수에 상기 발진 클록의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동되는 링 오실레이터, 및 상기 제2 인에이블 모드에서 상기 지연 클록과 보상 제어 전압 및 온도의 변동에 대응하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 조절하는 보상 조절부를 구비하는 집적회로
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제1항에 있어서,상기 보상 조절부는,온도의 변동에 따라 상기 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 감소시키거나 증가시킴으로써, 상기 링 오실레이터의 발진 지연량을 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제3항에 있어서,상기 보상 조절부는,상기 보상 제어 전압의 레벨에 응답하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량 조절 가능 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제4항에 있어서,상기 보상 조절부는,상기 링 오실레이터와 동작 노드 사이에서 상기 지연 클록에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및상기 보상 제어 전압의 레벨에 따라 상기 동작 노드와 접지전압단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로
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소스 클록을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록으로서 출력하는 제1 클록 지연부;상기 소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록으로서 출력하는 제2 클록 지연부;상기 제2 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및상기 제1 지연 클록과 상기 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도 변동을 검출하는 온도 검출부를 구비하며,상기 클록 발진부는, 제1 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 상기 발진 클록을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수에 상기 발진 클록의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동되는 링 오실레이터, 및 상기 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록과 보상 제어 전압 및 온도의 변동에 대응하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 조절하는 보상 조절부를 구비하는 집적회로
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제6항에 있어서,상기 제1 클록 지연부는,온도의 변동 및 지연 조절 신호에 응답하여 그 지연량이 조절되며, 상기 소스 클록을 지연시켜 상기 제1 지연 클록으로서 출력하는 지연라인; 및지연 고정 동작을 위해 상기 소스 클록과 상기 제1 지연 클록의 위상을 비교하고, 비교결과에 따라 상기 지연 조절 신호의 값을 조절하는 지연 고정 동작부를 구비하는 집적회로
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제6항에 있어서,상기 보상 조절부는,온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 감소시키거나 증가시킴으로써, 상기 링 오실레이터의 발진 지연량을 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제9항에 있어서,상기 보상 조절부는,상기 보상 제어 전압의 레벨에 응답하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량 조절 가능 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제10항에 있어서,상기 보상 조절부는,상기 링 오실레이터와 동작 노드 사이에서 상기 제2 지연 클록에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및상기 보상 제어 전압의 레벨에 따라 상기 동작 노드와 접지전압단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로
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제6항에 있어서,설정된 온도에서 상기 제2 클록 지연부의 지연량과 클록 발진부의 지연량을 합한 지연량은 상기 제1 클록 지연부의 지연량과 서로 같은 것을 특징으로 하는 집적회로
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소스 클록을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록으로서 출력하는 제1 클록 지연부;상기 소스 클록의 주파수를 설정된 비율로 분배하여 분배 클록을 생성하기 위한 주파수 분배부;상기 분배 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록으로서 출력하는 제2 클록 지연부;상기 제2 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및온도의 변동에 따른 상기 발진 클록의 위상 변동 폭을 상기 제1 지연 클록을 기준으로 카운팅하여 온도 변동 코드를 생성하는 온도 변동 코드 생성부를 구비하는 집적회로
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제13항에 있어서,상기 제1 클록 지연부는,온도의 변동 및 지연 조절 신호에 응답하여 그 지연량이 조절되며, 상기 소스 클록을 지연시켜 상기 제1 지연 클록으로서 출력하는 지연라인; 및지연 고정 동작을 위해 상기 소스 클록과 상기 제1 지연 클록의 위상을 비교하고, 비교결과에 따라 상기 지연 조절 신호의 값을 조절하는 지연 고정 동작부를 구비하는 집적회로
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제14항에 있어서,상기 지연라인은, 체인 형태로 접속되고 온도의 변동 및 지연 조절 신호에 응답하여 그 지연량이 각각 조절되는 다수의 인버터를 포함하며,상기 발진 클록과 상기 다수의 인버터 각각에서 출력되는 다수의 클록의 위상을 각각 비교하고, 비교결과에 따라 온도 변동 미세코드를 생성하기 위한 온도 변동 미세코드 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제13항에 있어서,상기 클록 발진부는,제1 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 상기 발진 클록을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수에 상기 발진 클록의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동되는 링 오실레이터; 및상기 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록과 보상 제어 전압 및 온도의 변동에 대응하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 조절하는 보상 조절부를 구비하는 집적회로
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제16항에 있어서,상기 보상 조절부는,온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 감소시키거나 증가시킴으로써, 상기 링 오실레이터의 발진 지연량을 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제17항에 있어서,상기 보상 조절부는,상기 보상 제어 전압의 레벨에 응답하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량 조절 가능 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 집적회로
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제18항에 있어서,상기 보상 조절부는,상기 링 오실레이터와 동작 노드 사이에서 상기 제2 지연 클록에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및상기 보상 제어 전압의 레벨에 따라 상기 동작 노드와 접지전압단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로
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제13항에 있어서,설정된 온도에서 상기 제2 클록 지연부의 지연량과 클록 발진부의 지연량을 합한 지연량은 상기 제1 클록 지연부의 지연량과 서로 같은 것을 특징으로 하는 집적회로
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